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Procesos hopping a través del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas

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Academic year: 2017

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Fig. 2. Conductividad en función de T-1/4 para muestras de a. μcSi:H (B) (□), Cu3BiS2 (Ο), b
Fig. 3. Esquema de los procesos hopping VRH y NNH que dan cuenta del transporte eléctrico en
Fig. 4. Variación de los parámetros Rhop y Whop en función de la temperatura para muestras nanocristalinas de de μcSi:H (B), Cu3BiS2

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