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DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MÁXIMA GANANCIA PARA APLICACIONES EN SISTEMAS INALÁMBRICOS

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Academic year: 2017

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Figura 1.1 Circuito equivalente en pequeña señal de un transistor TBH
Figura 1.3  fT en función de la corriente de colector IC a VCB constante.
Figura. 1.4 fMAX en función de la corriente de colector IC a VCB constante.
Figura 1.5 Estado del arte en TBH. Siendo III-V HEMT: High Electron Mobility Transistor-Transistor de Alta Movilidad de Electrones de tecnología III-V; III-V HBT: Heterojunction Bipolar Transistor-Transistor de Unión Bipolar Heterogénea de tecnología III-V
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