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Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras

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Academic year: 2020

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Fig. 1. Estructura hexagonal tipo würzita del AlN (donde a=3.11 Å y c=4.97 Å). En el AlN, los átomos de oxígeno (azules) ocupan la estructura compacta y los átomos de aluminio (grises) los sitios tetraedrales.
Fig. 2. Primera zona de Brillouin en el espacio k, correspondiente a una celda hexagonal
Fig. 3. Difractogramas obtenidos de las películas depositadas sobre sustratos de vidrio (a) y sílica (b).
Fig. 4. Imagen de FESEM de una sección transversal correspondiente a la S2.
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