LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

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Universidad Privada de Tacna

Universidad Privada de Tacna

TRABAJO DE INVESTIGACION

TRABAJO DE INVESTIGACION

MEMORIA RAM

MEMORIA RAM

CURSO

:

CURSO

:

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

INTEGRANTES :

INTEGRANTES :

LUIS PALACIOS MARTÍNEZ

LUIS PALACIOS MARTÍNEZ

CARLOS VALENCIA VELA

CARLOS VALENCIA VELA

MELVYN ARIAS MOREYRA

MELVYN ARIAS MOREYRA

TACNA ± PERU

TACNA ± PERU

I I II

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente como mem

como memoria poria principarincipal o l o A A . Se p. Se puede uede pensapensar en r en memoria memoria principaprincipal como l como arregarreglolo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de información.

información.

n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una dirección.

dirección. ada ada dirección corresponde dirección corresponde a a un cubun cubículo (ubículo (ubicación) en icación) en la memoria.la memoria.

Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para los datos. El controlador de

los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego memoria encuentra el cubículo adecuado y luego elel procesado

procesador envía los r envía los datos a escribir.datos a escribir. Para leer

Para leer la memoria, la memoria, el prel procesador envía ocesador envía la dirección la dirección para para los datos los datos requeridos. requeridos. ee inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

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I I II

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente como mem

como memoria poria principarincipal o l o A A . Se p. Se puede uede pensapensar en r en memoria memoria principaprincipal como l como arregarreglolo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de información.

información.

n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo n ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para a memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una dirección.

dirección. ada ada dirección corresponde dirección corresponde a a un cubun cubículo (ubículo (ubicación) en icación) en la memoria.la memoria.

Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para los datos. El controlador de

los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego memoria encuentra el cubículo adecuado y luego elel procesado

procesador envía los r envía los datos a escribir.datos a escribir. Para leer

Para leer la memoria, la memoria, el prel procesador envía ocesador envía la dirección la dirección para para los datos los datos requeridos. requeridos. ee inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información conten idos en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

II. . HHIIS S I I E E L L MMEEM M I I MM

³L

³La a memoria memoria A A es es una una memoria memoria volátil, volátil, es ues un n tipo tipo de de memoria memoria temporatemporal l queque

pierden sus datos cuando se

pierden sus datos cuando se quedan sin equedan sin energía. Se utiliza generalmente nergía. Se utiliza generalmente parapara almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la

la evolucievolución ón de de la mla memoria emoria A A a traa través dvés del el tiempo tiempo desde desde un un punto punto de de vistavista técnico.´

técnico.´ ensionaremos ensionaremos clases clases de de memoriasmemorias IIII. E. EFFI I I I IIÓ Ó E E MMEEM M I I MM

Proviene

Proviene de de (" (" ead Alead Aleatory eatory emory") ó memoria emory") ó memoria de de lectura lectura aleataleatoria: oria: es unes un dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo ; pero a cambio tiene una muy alta datos almacenados una vez apagado el equipo ; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar las acciones.

velocidad para realizar las acciones. En

En la la memoria memoria A A se se carga carga el el sistema sistema operaoperativo tivo ((LLinux buntuinux buntu, , AppleApple® ® ac S,ac S,

icrosoft® Wi

icrosoft® Windowndows 7, s 7, etc.), etc.), los los programaprogramas s ( ffice, ( ffice, Winzip®, Winzip®, ero®, ero®, etc.),etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una

una copia copia del del contenido contenido de de la la memoria memoria .. Ej mplo

Ej mplo uando

uando damos dobdamos doble clic le clic a a la la aplicación aplicación icrosoficrosoft® t® Word, eWord, el programa l programa será leídoserá leído desde el

desde el disco duro e disco duro e inmediatamente la computadora inmediatamente la computadora buscará buscará almacenarlo en almacenarlo en lala memoria

memoria A A , ello , ello para para que que el usuariel usuario lo uo lo utilice sitilice sin la n la lentitud lentitud que que implicaríaimplicaría trabaja

trabajarlo drlo desde esde el el disco disco duro, duro, y uny una a vez terminvez terminada ada de de usar usar la ala aplicacióplicación, la n, la A A sese libera para poder cargar el próximo programa.

libera para poder cargar el próximo programa.

emoria

emoria A A tipo tipo , , mamarca rca KingstoKingston®, n®, modemodelo lo KV 2KV 266,66, capacidad

4 4

IIIIII. . IIP P S E S E MMEEM M I I S S M M MME E I I LLEESS Hay

Hay tretres s tiptipos os de de memmemoriorias as A A , , lala s s prprimeimeraras s son son lalas s A A , , S A S A y y unauna emulación denominada Swap:

emulación denominada Swap:

DRA DRA_MM

L

Las as siglas siglas provienprovienen en de de (" (" inamic inamic ead ead AleatorAleatory y emory") emory") ó ó dinámicas, dinámicas, debiddebido o aa

que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a cambio tienen un precio económico.

cambio tienen un precio económico. Ej mplo

Ej mplo

Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar  toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar  su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó carros tanque, descarg

carros tanque, descargarlas, arlas, etc.etc.

L

La a siguiesiguiente nte lista lista muestra muestra las memlas memorias orias A A en en modo modo descenddescendente, ente, la la primer primer ligaliga

es la más antigua y la última la más reciente. es la más antigua y la última la más reciente.

1- MEM

1- MEM RR_IIAA RARA_{M M IIP P S S PP}

S

S PP proviene proviene de (" hin de (" hin Small Small utut-line -line Package"), lo Package"), lo que que tradutraducido cido significasignifica conjunt

conjunto o de de bajo bajo perfil perfil fuera fuera de de línea. línea. Son Son un un tipo tipo de de memorias memorias A A ( ( A A dede celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("

(" otherboarotherboard"). Estos chips en cond"). Estos chips en conjunto ijunto iban sban s umandumando las cano las cantidadetidades de memos de memoriaria A

A del del equequipo.ipo.

L

Las memoras memorias ias S S P no P no fueron tfueron totalmenotalmente reete reemplazados mplazados en aen aquel quel tiempo, tiempo, sinosino

que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las terminales con forma de pin en un

terminales con forma de pin en un solo lado de la solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar detarjeta, naciendo el estándar de memorias SIP ("Single In-line Package").

memorias SIP ("Single In-line Package").

emo

6

LA_MEMOR_IA D_{E P}AR_IDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el " bit extra ó bit de paridad " será 0, ejemplo:

Carác_t r 

Human_o yt Núm r o uno Impar ó par  Bit par i ad

A _{0100 0001 2 Par 1}

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología E .

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO T_SO_P

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria

S P es el Kilobyte (Kb) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa 915P( ) de Acer®.

T_ipode _me_mor _ia Ca_pac_idad en_Kilobytes _(Mb) T_SO_{P KM41464}A_{P-12 128 Kb}

SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA T_SO_P

Los S P se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de

2.- MEMOR_IA RA_M T_IPO_SIP.

SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias A ( A de celdas construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria S P, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de

pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal ( otherboard).

Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias A

tipo SI ("Single In line emory odule"), ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los do bleces.

emoria A tipo SIP.

CARACT_ERÍ_ST_ICA_{S E}N_ERA_LESD_{E L}A_MEMOR_IA_SIP

y Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales. y uentan con una forma física especial, pero tenían el inconveniente de

que al tener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y romperse.

y La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.

y La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto.

PART_{ES Q E}CO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA_SIP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

8

Figura_{3. E}s_que_ma de_una

me_mor _ia RA_{M tipo SIP.}

1.-Tar _je_ta: _{es una placa plástica sobre la cuál están}

soldadas los componentes de la memoria. 2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria volátil.}

3.- C_onec_tor  _{(30 pi}nes₎: _{son terminales tienen}

forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria SIP.

CON_ECTOR_{ES - PI}N_{ES P}ARA _LA RANURA

Son 2 versiones:

C_onec_tor  _Figuras

SIP 30 pines C_onec_tor  de _la me_mor _ia "Ran_ura" de _la tar _je_ta pr _inc_ipa_l

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA_SIP

La unidad para medir la velocidad de las memorias A es en egaHertz

( Hz). En el caso de los SIP su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 H y 33

Hz.

LA_MEMOR_IA D_{E P}AR_IDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

Carác_ter 

Human_o Byte Númer odeunos Impar ó par  Bitdepar idad

A _{0100 0001 2 Par 1}

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología E .

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA_SIP

Es el tiempo que transcurre para que la memoria A dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode_me_mor _ia Tiempode respuesta en nanosegundos

(nse_g)

SIP 30 pines _{60 nseg}

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO_SIP

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SIP es Kilobyte (Kb) y el egabyte ( b). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

T_ipode _me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes_(Mb)

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U_SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA_SIP

Los SIP de 30 pines se utilizaron básicamente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® 286. 3.- MEMOR_IA RA_M T_IPO_SIMM.

SIMM proviene de ("Single In line emory odule"), lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias A ( A de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard).

Las memorias SI reemplazaron a las m emorias A tipo SIP ("Single In-Line Package").

Las memorias SI fueron reemplazadas por las memorias A tipo I

(" ual In line emory odule ").

Figura 2. emoria A tipo SI , genérica, L-9645-8 L-194V-0, 3

chips, 30 pines, capacidad de 1 b.

Figura 3. emoria A tipo SI , genérica, HY 591000P , 12 chips, 72

pines, capacidad 32 b.

CARACT_ERÍ_ST_ICA_{S E}N_ERA_LESD_{E L}A_MEMOR_IA_SIMM

y Hay 2 versiones de memoria SI , con 30 y con 72 terminales, siendo el

segundo el sucesor.

y uentan con una forma física especial, para que al insertarlas, no haya

riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SI de 72 terminales cuenta con una muesca en un lugar estratégico del conector.

y La memoria SI de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72

terminales 32 bits.

y La medida del SI de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto.

y La medida del SI de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm.

de alto.

y Pueden convivir en la misma tarjeta principal (" otherboard") ambos tipos

si esta tiene las ranuras necesarias para ello. PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA_SIMM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Esquema externo de una memoria A tipo SI .

1.- Tar _je_ta: _{es una placa plástica}

sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria}

volátil.

3.- C_onec_tor  _{(30 t}er _mina_les₎: _base

de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria SI .

CON_ECTOR_{ES -}T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

Son 2 versiones:

C_onec_tor  _Figuras

SIMM 30 ter _mina_les C_onec_tor  de_la me_mor _ia Ran_ura de_la tar _je_ta pr _inc_ipa_l

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VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA_SIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias A es en egaHertz

( Hz). En el caso de los SI su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 H y 33

Hz.

LA_MEMOR_IA D_{E P}AR_IDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits) , de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

Carác_ter 

Human_o Byte

Nú_mer _o de

un_os Impar ó par 

B_it de

par _idad

A _{0100 0001 2 Par 1}

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología E .

T_ECNO_LOGÍA D_ECORR_ECC_IÓN D_{E E}RROR_{ES (E}CC₎

La tecnología E en memorias SI se utilizaba básicamente para equipos

que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la memoria.

E son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E , el cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo.

MODO D_EACC_ESO_FPM

FP son las siglas de ("Fast Page ode") ó modo rápido de paginación. Es una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias A (" inamic

ead Aleatory emory", es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página.

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA_SIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria A dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode_me_mor _ia Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nse_g)

SIMM 30 ter _mina_les _{60 nseg}

SIMM 72 ter _mina_les _{40 nseg}

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO_SIMM

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SI es Kilobyte (Kb) y el egabyte ( b). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

T_ipode_me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes _(Mb)

SIMM 30 ter _mina_les _{256 Kb, 512 Kb, 1 b, 2 b, 4 b, 8 b}

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SG_EN_ERA_LESD_{E L}A_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

y uenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de

la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.

y odas las memorias I - S A cuentan con 168 terminales. y uentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector,

para que al insertarlas, no haya riesgo de colocar las de manera incorrecta.

y La memoria I - S A permite el manejo de 32 y 64 bits.

y La medida del I - S A es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de

alto.

y Puede convivir con SI en la misma tarjeta principal (" otherboard")

si esta cuenta con ambas ranuras.

PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de la memoria A tipo I

-S A .

1.- Tar _je_ta: _{es una placa plástica sobre la cual}

están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria volátil.}

3.- C_onec_tor  _{(168 t}er _mina_les₎: _{base de la}

memoria que se inserta en la ranura especial para memoria I - S A en la tarjeta principal ( otherboard).

4.- Muesca: _{indica la posición correcta dentro}

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CON_ECTOR_{ES -}T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

Solo hay una versión física:

C_onec_tor  _Figuras

D_IMM -SDRA_{M 168} ter _mina_les C_onec_tor  de _la me_mor _ia Ran_ura de la _tar _je_ta pr _inc_ipa_l

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

La unidad para medir la velocidad de las memorias A es en egaHertz

( Hz). En el caso de los I - S A , tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

N_ombre as_ignad_o Velocidad de la memor ia (FSB: "Fr ontal Side B_us"₎ ---- 25 Hz, 33 Hz, 50 Hz PC_{66 66 egaHertz ( Hz)} PC_{100 100 Hz} PC_{133 133 Hz} PC_{150 150 Hz} LA_MEMOR_IA D_{E P}AR_IDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un " bit extra" por cada byte (8 bits) , de modo que si el número de "unos" del byte es par, el " bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

Carac_ter 

Human_o Byte

Nú_mer _o de

un_os Impar ó par 

B_it de

par _idad

A _{0100 0001 2 Par 1}

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología E .

T_ECNO_LOGÍA D_ECORR_ECC_IÓN D_{E E}RROR_{ES (E}CC₎

La tecnología E en memorias I - S A se utilizaba básicamente para

equipos que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la memoria.

E son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E , el cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo.

MODO D_EACC_ESO_FPM

FP son las siglas de ("Fast Page ode") ó modo rápido de paginación. Es una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias A (" inamic

ead Aleatory emory "), es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores, accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página.

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

Es el tiempo que transcurre para que la memoria A dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

18

T_ipode_me_mor _ia Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nse_g)

D_{IMM - S}DRA_{M 168 t}er _mina_les _{12 nseg - 10 nseg - 8 nseg}

LAT_ENC_IA D_{E L}A_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

L proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

T_ipode_me_mor _ia _La_tenc_ia_pr _omed_ioCA_S D_{IMM - S}DRA_{M 168 t}er _mina_les ₃

Ca_pac_idades de a_lmacena_mien_toD_{IMM S}DRA_M

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria I - S A es el egabyte ( b). Actualmente en éxico todavía se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades:

T_ipode_me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes _(Mb)

D_{IMM - S}DRA_{M 168 t}er _mina_les_PC_{100 32 b, 64 b, 128 b, 256 b, 512 b} D_{IMM - S}DRA_{M 168 t}er _mina_les_PC_{133 32 b, 64 b, 128 b, 256 b, 512 b}

U_SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA D_{IMM S}DRA_M

Los I - S A de 168 terminales se utilizaron básicamente en

computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel® Pentium Pro, Pentium II, eleron y algunos modelos Pentium III.

LA_MEMOR_IA_SOD_{IMM - S}DRA_{M (V}AR_IANT_E D_ED_{IMM - S}DRA_M)

Sign_ificad_o de _SOD_{IMM - S}DRA_M: _{proviene de ("Small utline ual In line}

emory odule"), siendo la variante de memorias I - S A para computadoras portátiles.|

20

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SG_EN_ERA_LESD_{E L}A_MEMOR_IA DDR

y odos las memorias cuentan con 184 terminales.

y uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que

al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

y La medida del mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm.

de espesor.

y omo sus antecesores (excepto la memoria I ), pueden estar ó no

ocupadas todas sus ranuras para memoria. PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA DDR

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Esquema de partes de la memoria A tipo

1.- Tar _je_ta: _{es una placa plástica sobre la}

cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria volátil.}

3.- C_onec_tor _{(184 t}er _mina_les₎: _{base de la}

memoria que se inserta en la ranura especial para memoria .

4.- Muesca: _{indica la posición correcta}

dentro de la ranura de memoria .

CON_ECTOR_{ES -}T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

C_onec_tor  _Figuras DDR ₁₈₄ ter _mina_les C_onec_tor  de _la me_mor _ia Ran_ura de _la tar _je_ta pr _inc_ipa_l

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA DDR

La unidad para medir la velocidad de las memorias A es en egaHertz

( Hz). En el caso de los , tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

N_ombre as_ignad_o Velocidad de la memor ia (FSB: "Fr ontal Side B_us"₎

PC_{-2100 266 Hz}

PC_{-2700 333 Hz}

PC_{-3200 400 Hz}

T_ECNO_LOGÍA DDR_ECC

La tecnología E en memorias se utiliza básicamente para servidores

que manejan datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria.

E son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un a lgoritmo matemático de parte del E , el cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

22

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se d ecodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo.

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA DDR

Es el tiempo que transcurre para que la memoria A dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode _me_mor _ia Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nse_g)

DDR _PC_{2100 7.5 nseg}

DDR _PC_{2700 6 nseg,}

DDR _PC_{3200 5 nseg}

LAT_ENC_IA D_{E L}A_MEMOR_IA DDR

L proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

T_ipode_me_mor _ia _La_tenc_ias₍C_L) DDR _PC_{2100 2.5}

DDR _PC_{2700 2.5}

DDR _PC_{3200 2.5 hasta 4}

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO DDR

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria es el egabyte ( b). y el Gigabyte (Gb). Actualmente en éxico se comercializan las siguientes capacidades :

T_ipode_me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes _(Mb) DDR _{184 t}er _mina_les _{128 b, 256 b, 512 b y 1 Gb}

U_SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA DDR

Los de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia A ® Athlon y por su bajo precio y eficiencia también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4.

LA_MEMOR_IA_SODDR _(VAR_IANT_ED_E DDR₎

Proviene de ("Small utline ual ata ate "), siendo la variante de memoria para computadoras portátiles. tro tipo de memorias para computadoras portátiles son las micro , utilizadas en ciertos modelos de portátiles de las marcas oshiba® y Sony®.

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SD_{E L}A_MEMOR_IA_SODDR:

y odas las memorias S cuentan con 200 terminales, especiales para

computadoras portátiles, mientras que las micro cuentan con 172 terminales.

y Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,

velocidad, etc., son iguales a la del formato para computadora de escritorio.

y iene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos

tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.

y omo requisito para el uso del I es que todas las ranuras asignadas para

ellas estén ocupadas.

PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA R_IMM

Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa

como disipador de calor:

Figura 3. Esquema externo de una memoria A tipo I

1.- D_is_ipad_or: _{es una placa}

metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente.

2.- C_onec_tor  _{(184 t}er _mina_les₎:

base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria

I .

3.- Muescas: _{son 2 hendiduras}

características de la memoria I y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

CON_ECTOR_{ES -}T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

Solo hay una versión física:

C_onec_tor  _Figuras

R_{IMM 184} ter _mina_les C_onec_tor  de_la me_mor _ia Ran_ura de la_tar _je_ta pr _inc_ipa_l (   iene_por  pares₎

26

T_ECNO_LOGÍA D_ECORR_ECC_IÓN D_{E E}RROR_{ES (E}CC₎

La tecnología E en memorias I se utiliza básicamente para equipos

que van a manejar datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria.

E son las siglas de ("Error ode orrection"), que traducido significa código para corrección de errores. Se trata de un có digo que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del E , el cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo.

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA R_IMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias A es en egaHertz

( Hz). En el caso de los I , tiene va rias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

N_ombre as_ignad_o Velocidad de la memor ia (FSB: "Fr ontal Side B_us"₎ PC_{600 300 egaHertz ( Hz)} PC_{700 356 Hz} PC_{800 400 Hz} PC_{1066 533 Hz} (...) 800 Hz

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA R_IMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria A dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode _me_mor _ia Tiempode respuesta en nan_ose_gund_os₍nse_g) R_{IMM 184 t}er _mina_les _{40 nseg aproximadamente}

LAT_ENC_IA D_{E L}A_MEMOR_IA R_IMM

L proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

T_ipode _me_mor _ia _La_tenc_ia CA_S R_{IMM 184 t}er _mina_les _{4 y 5}

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO R_IMM

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria I es el egabyte ( b). Se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

T_ipode _me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes _(Mb) R_{IMM 184 t}er _mina_les _{64 b, 128 b, 256 b}

U_SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA R_IMM

Los I de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a sobrecalentarse, por lo que terminó siendo reemplazado en el ámbito general por las memorias A tipo que eran más económicas y no necesitaban ventilación adicional.

28

7.- MEMOR_IA G_-RA_{M / V-}RA_{M (}ACTUA_L).

T_IPO_SD_{E MEM}OR_IA_INT_EGRADA_YCA_PAC_IDAD_ES

Las tarjetas de video, además de integrar su propio microprocesador, también

integran cierta cantidad de memoria A especial llamada V A ó G A ("Video ead nly emory ó Graphic ead nly emory"), la cual se encarga exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria A principal se mantenga disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar  que mientras la V A no sea solicitada, esta se utilizara como A por la computadora.

MEMOR_IA_{S Y SI}GN_IFICADO D_E GDDR: _{("Graphics ouble ata ate"), la}

memoria integrada en las tarjetas de video es de tipo A (" ead Aleatory emory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar la computadora, todos los datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla los tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento es la G 5 la que comienza a ser introducida al mercado comercial.

T_ipode RA_M Carac_terís_ticas Capacidad comercial

ins_ta_lada_Mb/G_b

GDDR_{5 "Graphics ouble}

ata ate 5"

Basada en tecnología 2, esta nueva especificación para

tarjetas gráficas de alto rendimiento, provee un doble

ancho de banda a diferencia de G 4, que permite ser 

configurada a 32 y 64 bits,

1.024 Gb, 1.536 Gb, hasta 4 Gb

GDDR_{4 "Graphics ouble}

ata ate 4"

Es un tipo de memoria que también se basa en la tecnología , que mejora las características de consumo

y ventilación con respecto a la G 3.

256 b

Data ate 3" adaptada para el uso con

tarjetas de video, con características de la memoria

DDR2, mejoradas para reducir 

consumo eléctrico y hacer  eficiente la disipación de calor.

768 b, 896 b, 1 Gb, 1.792 Gb

GDDR_{2 "Graphics} Double DataRate 2"

Es un tipo de memoria adaptada para tarjetas de video, con características de la

memoria DDRyDDR2.

256 b, 512 b, 1 Gb

GDDR _"GraphicsDouble DataRate"

Es un estándar de RA que

transmite datos de manera doble por canales distintos de

manera simultánea, en este caso está diseñada para el uso

en tarjetas de video.

64 b, 128 b, 256 b, 512 b

8.- MEMOR_IA RA_M T_IPO DDR₂

DDR_{-2 proviene de ("}Dual DataRate 2"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRA (RA de celdas construidas a base de

capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard). ambién se les denomina DI tipo DDR2,

debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DI .

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RA tipoDDR -3

"Double DataRate -3 ".

emoriaRA tipoDDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 b,

30

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SG_EN_ERA_LESD_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-2

y odos las memoriasDDR-2 cuentan con 240 terminales.

y uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que

al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

y omo sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras

para memoria.

y iene un voltaje de alimentación de 1 .8 Volts.

PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA DDR_-2

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de partes externas de una memoria DDR-2

1.- Tar _je_ta: _{es una placa plástica sobre la cuál}

están soldadas los componentes de la memoria. 2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria volátil.}

3.- C_onec_tor _{(240 t}er _mina_les₎: _{base de la memoria}

que se inserta en la ranura especial para memoria

DDR2.

4.- Muesca: _{indica la posición correcta dentro de la}

ranura de memoria DDR2.

CON_ECTOR_{ES -}T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

Solo hay una versión física:

C_onec_tor  _Figuras

DDR_{-2 240} ter _mina_les C_onec_tor  de la_me_mor _ia Ran_ura de la_tar _je_ta pr _inc_ipa_l

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-2

La unidad para medir la velocidad de las memorias RA es en egaHertz

( Hz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo

disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

N_ombre as_ignad_o Velocidad de la memor ia (FSB: "Fr ontal Side B_us"₎

PC_{5300 667 Hz}

PC_{6400 800 Hz}

ELT_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-2

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RA dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode_me_mor _ia Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nse_g)

DDR_{-2 P}C_{5300 6 nseg}

DDR_{-2 P}C_{6400 5 nseg,}

LAT_ENC_IA D_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-2

L proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relaciona do directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar  está, también aumenta la latencia.

T_ipode_me_mor _ia _La_tenc_ias₍C_L)

DDR_{2 P}C_{5300 4 y 5}

32

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO DDR_-2

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DDR-2 es el egabyte ( b) y el Gigabyte (Gb). Actualmente en

éxico se comercializan las siguientes capacidades:

T_ipode_me_mor _ia Ca_pac_idad en_Me_ga_bytes _(Mb)

DDR_{-2 240 t}er _mina_les 256 b, 512 b, 1 Gb, 2 Gb, y 4

Gigabytes (Gb)

U_SO_{S ESPE}CÍ_FICO_SD_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-2

Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de

la firma A D®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual ore. En el caso de

Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4, ore 2 Duo, ore 2 uad y ore

uad.

LA_MEMOR_IA_SODDR _(VAR_IANT_ED_E DDR₂₎

Proviene de ("Small utlineDual DataRate 2 "), siendo la variante de memoria DDR2 para computadoras portátiles.

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SD_{E L}A_MEMOR_IA_SODDR₂:

y odas las memorias S DDR2 cuentan con 200 terminales, especiales

para computadoras portátiles.

y Las demás especificaciones como latencia, capacidades de

almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR2

para computadora de escritorio.

9.- MEMORIA RAM TIPO DDR3 (ACTUAL).

DDR_{-3 proviene de ("}Dual DataRate 3"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRA (RA de celdas construidas a base de capacitores), las

un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal ( otherboard). ambién se les denomina DI tipo DDR3, debido a que

cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DI .

Actualmente compite contra el estándar de memorias RA tipo DDR-2

("DoubleDataRate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

emoriaRA tipoDDR-3, marca Kingston, ValueRA , 240 terminales,

capacidad para 2 Gb, latencia L9, voltaje 1.5V.

CARACT_ERÍ_ST_ICA_SG_EN_ERA_LESD_{E L}A _MEMOR_IA DDR₃

y odas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.

y uentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al

insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar  que se inserten en ranuras inadecuadas.

y omo sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para

memoria.

y iene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts.

y on los sistemas operativos icrosoft® Windows más recientes en sus

versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria

DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 Gb ó 3 Gb,

sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.

PART_{ES Q}U_ECO_MPON_EN_LA_MEMOR_IA DDR₃

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

34

Figura 3. Esquema de partes de la memoriaDDR-3

1.- Tar _je_ta: _{es una placa plástica}

sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Ch_ips: _{son módulos de memoria}

volátil.

3.- C_onec_tor _{(240 t}er _mina_les₎: _base

de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: _{indica la posición}

correcta dentro de la ranura de memoriaDDR3.

CON_ECTOR_{ES -} T_ER_MINA_{LES P}ARA_LA RANURA

Solo hay una versión física:

C_onec_tor  _Figuras

DDR_{-3 240} ter _mina_les C_onec_tor  de_la me_mor _ia Ran_ura de_la_tar _je_ta pr _inc_ipa_l

VELOC_IDAD D_{E L}A_MEMOR_IA DDR₃

La unidad para medir la velocidad de las memorias RA es en egaHertz ( Hz). En

el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene

que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

N_ombre as_ignad_o Velocidad delamemor ia(FSB: "Fr ontal Side B_us"₎

DDR_{3 P}C_{3-8500 1066 Hz}

DDR_{3 P}C_{3-10666 1333 Hz} DDR_{3 P}C_{3-12800 1600 Hz} DDR_{3 P}C_3-14900 1866 Hz

EL T_IEMPO D_EACC_ESO D_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-3

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RA dé un cierto resultado que el

sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

T_ipode _me_mor _ia Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nse_g) DDR_{3 P}C_{3-8500 7.5 nseg.} DDR_{3 P}C_{3-10666 6 nseg,} DDR_{3 P}C_{3-12800 5 nseg,} DDR_{3 P}C_3-14900 ±4 nseg, LAT_ENC_IA D_{E L}A_MEMOR_IA DDR_-3

L proviene de (" AS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es " iempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria ( egaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

T_ipode_me_mor _ia _La_tenc_ias₍C_L)

DDR_{3 P}C_{3-8500 6 hasta 8}

DDR_{3 P}C_{3-10666 7 hasta 10}

DDR_{3 P}C_{3-12800 8 hasta 11}

DDR_{3 P}C_3-14900 11 hasta 13

CA_PAC_IDAD_ES D_EA_LMAC_ENA_MIENTO DDR_-3

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DDR-3 es el Gigabyte (Gb). Actualmente se comercializan módulos

independientes y también en tipo Kit; es importante mencionar que las memorias de más de 6 Gb no vienen en un sólo m ódulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 4 memorias de 2 Gb, dando resultado 8 Gb), por lo que al momento de decidir cómo comprar la memoria, hay que tomar en

1) La c¡  

¢ 

£   a de mem¤ ¥ ¦ a se carga de una c¤   rriente eléctrica alta cuándo

indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente lentas.

ESTRUCTURA_LOG_ICA D_EUNA _MEMOR_IA RA_M

Desde las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente:

y Memor ia base: desde 0 hasta 640 Kb (Kilobytes), es en esta zona

dónde se almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.

y Memor ia super ior yreservada: de 640 a 1.024 b ( egabytes), carga

unas estructuras llamadas páginas de intercambio de información y unos bloques de memoria llamados B.

y Bloques UMB (Upper  Memor y Blocks): se trata de espacios

asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuración de diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedaban sin utilizar, por lo que se comenzó a

y Memor ia expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a

programas en memoria superior, la cuál algunas veces no se utilizaba debido a la configuración del equipo y con este método se puede utilizar.

y Memor ia extendida: de 1.024 b hasta 2 Gb (Gigabytes), se cargan

todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.

Antes debido a que los equipos contaban con memoria RA limitada, existían

utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo icrosoft® s -DOS

38

necesitaba de un controlador  especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin él solo reconocía 640 Kb aunque hubiera instalados 16 ó 32 b.

D_EFIN_IC_ION D_E UN BU_FER D_{E MEM}OR_IA

Un Buffer (amortiguador), es un espacio físico en cualquier dispositivo de

almacenamiento masivo de lectura/escritura, comúnmente en RA , que se

asigna para almacenar información que será procesada casi inmediatamente y tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresión, en los antiguos Discman®, que para evitar que la melodía se detuviera, ib an

almacenando unos segundos más de música en caso de un movimiento brusco en el aparato y finalme nte en Youtube mientras reproduce, se va adelantando en descargar el resto del video.

T§    BL§ ¨    E T©   POS ¨    E     E    OR © §    S §   

   

TU§    LES E   GE   ER §    L

Tipo de

memoria Significado     escripción

Tipo R         R         "Random Aleatory Memory", memoria de acceso aleatorio

Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse información en

cualquier momento, pero que pierde la información al no tener alimentación

eléctrica.

E    O R     

"Extended Data Out Random Access Memory", memoria de

acceso aleatorio con salida de datos

extendida

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar

el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador.

BE    O

R    

!   

"Burst EDO Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de

datos extendida y acceso Burst

Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad

gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria. DR "    #    "Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio

Es el tipo de memoria mas común y económica, construida con capacitores por lo

que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el

proceso hasta cierto punto lento.

SDR $ %    "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio

Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada

y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia

de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.

FP&   

DR '   

&   

"Fast Page Mode Dinamic Random Access

Memory", memoria dinámica de paginación

de acceso aleatorio

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el

rendimiento a las direcciones mediante páginas.

R DR ( )   

"Rambus DRAM", memoria dinámica de acceso aleatorio para

tecnología Rambus

Memoria DRAM de alta velocidad

desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificación se encuentra la familia de memorias RIMM.

SR 0 1    / 2    aché

"Static Random Access Memory", memoria

estática de acceso aleatorio

Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos.

Anteriormente había módulos de memoria independientes, pero actualmente solo se

encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para