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Biosensor basado en transistores MOS para la detección del ADN

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Academic year: 2017

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Figura 2.1. Estructura de un capacitor MOS.
Figura 2.2. Cargas en una estructura MOS tipo-n (substrato tipo-p) bajo condiciones de acumulación, empobrecimiento e inversión
Figura 2.3. Curva característica de C-V de un capacitor MOS  a partir de substratos tipo P y formación de canal N
Figura 2.4. Estructura de un transistor MOS canal N.
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