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Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro

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Academic year: 2020

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Tabla I.I. Constantes elásticas y coeficientes de deformación de ios binarios GaAs e biAs
Tabla I.II Valores de los coeficientes de Luttinger y las masas de huecos para las orientaciones (001) y  (111)
Fig. 1.5. Representación esquemática de los sistemas de deslizamiento {111} en la dirección (001)
Fig. 1.6. Representación esquemática de los sistemas de deslizamiento {111} en la dirección (111)
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