DISPOSITIVOS ACOPLADOS PR CARGA (CCD).
Tales cámaras están siendo rápidamente favorecidas en cuanto al procesamiento de imágenes, visión a través de máquinas ó supervisión y control industriales. Un método para la formación de imágenes de estado sólido es fabricar muchos fotodiodos delgados juntos en una disposición lineal o bidimensional. Sin embargo, las dificultades de fabricación y las bajas densidades de encapsulamiento han conducido al desarrollo del dispositivo acoplado por carga (CCD). Como su nombre indica, el CCD conduce su información mediante la transferencia eficiente de paquetes de carga eléctrica a través del dispositivo. Las ventajas ofrecidas por la tecnología CCD son el incremento en la densidad de encapsulamiento con respecto a la del arreglo de fotodiodo, la libertad en cuanto al retraso y a la fluorescencia y la sensibilidad a bajos niveles de luz. Tal vez más significativa sea la libertad de distorsión geométrica de la imagen, que es una seria limitación de las cámaras vidicón. Gran parte del futuro de la formación de imágenes de estado sólido depende de este dispositivo y por consiguiente, el análisis se centrará en las cámaras de CCD y su aplicación.
Almacenamiento de carga
Considere la situación en la que se tiene un semiconductor tipo p sobre el que se ha depositado una capa delgada de bióxido de silicio. En la capa de óxido se deposita un electrodo metálico. Antes de la aplicación de un voltaje los huecos están uniformemente distribuidos a través del material, al aplicar un voltaje positivo, los huecos se expulsan del área bajo el electrodo y se forma una capa de agotamiento. Al aumentar el voltaje se incrementa la extensión de la capa de agotamiento. A cierto voltaje, el potencial superficial es tan alto que los electrones son atraídos hacia la superficie, en donde forman una capa delgada pero densa de carga negativa. Esto crea un CCD de canal n. La capa de agotamiento puede concebirse en términos de un pozo de potencial, una región de bajo potencial en el material por debajo de la placa, que actúa como un sumidero de electrones (figura 2a). La capa de óxido entre el electrodo y el silicio ayuda a evitar deriva de carga lejos del pozo. El dispositivo que se ha descrito es un CCD de canal superficial. En todos los dispositivos prácticos se utiliza una estructura de canal subterráneo en la cual la carga es almacenada bastante por debajo de la superficie para efectos de una transferencia más efectiva. Los conceptos, sin embargo, son semejantes.
Transferencia de carga.
El paquete de carga contenido en el pozo puede moverse a través del dispositivo mediante aplicaciones consecutivas de un pulso de voltaje a los electrodos de interconexión (figura 2b). Inicialmente se supone que la carga está contenida bajo el primer electrodo.
Cuando se aplica un potencial al segundo electrodo aumenta el ancho del pozo a través de la región bajo los dos electrodos. Ahora, la carga es compartida entre los dos electrodos. Al eliminar el voltaje del primer electrodo se provoca la destrucción del pozo, haciendo que toda la carga disponible pase al segundo pozo. El pozo y su carga asociada se han movido a través del semiconductor. Merece la pena señalar que la carga acumulada puede
almacenarse durante varias horas sin desintegración apreciable. ¡La eficiencia del proceso de transferencia de carga tiende a un valor extraordinario de 99.999%!.
Figura 2.- Movimiento del paquete de carga entre los electrodos. a) Pozo de potencial conteniendo carga; b) Creación de un pozo adyacente, la carga se "derrama" en él; c) Carga compartida entre los pozos; d) Desaparición del primer pozo; e) El paquete de
carga se ha movido entre los pozos.
Formación de imágenes ópticas.
Como ya se ha visto, muchos materiales semiconductores, como el silicio, son fotosensibles. La luz incidente genera pares electrón-hueco en el material. Los electrones son atrapados en el pozo de potencial, en tanto que los huecos desaparecen en el sustrato. Si se considera un CCD de canal n, el número de electrones producidos en un lapso dado y por tanto la carga acumulada, es proporcional a la intensidad de la luz incidente. El patrón de la carga acumulada a través del dispositivo reproduce la variación en intensidad de luz de la imagen original.
La lectura de la señal se lleva a cabo mediante la transferencia de paquetes de carga a CCD’s adyacentes, para ser leídos como imágenes de vídeo. Aunque en principio es posible conectar cada detector con un reloj de pulsos por separado, en la práctica los electrodos se agrupan en conjuntos de tres o cuatro, denominados fases. Cada fase se conecta a un voltaje sincronizado por separado. Para el sistema que se ha presentado, un sistema de sincronización trifásico permite que la carga sea movida por completo a través del dispositivo (figura 3). Para la transferencia en línea son posibles velocidades del reloj hasta
de 10 MHz.
Figura 3.- Formación de imágenes utilizando un arreglo de pixeles CCD.
La sencilla disposición de formación de imágenes en línea, según se acaba de presentar, no es idónea para los detectores por área, debido al tiempo requerido para transferir la carga a través del dispositivo. Para los detectores por área, los pixeles individuales están dispuestos en una matriz de M x N elementos. Los paquetes de carga son conmutados a una serie de almacenes y lecturas secuenciales mientras se graba una segunda imagen. Los formadores de imágenes por áreas deben ser capaces de transferir datos a velocidades compatibles con los sistemas convencionales de TV. Existen dos formas principales en las que es posible organizar información en una pastilla CCD, a saber, la transferencia de cuadros y la transferencia de interlíneas.
En la transferencia de cuadros, el arreglo se divide en columnas verticales entre las cuales hay detenciones de canal (figura 4). Los electrodos están colocados en el arreglo, perpendiculares a las columnas. El arreglo es dividido en dos secciones, una región de almacenamiento protegida contra la luz y una región ópticamente sensible.
El principio básico de operación es que toda el área sensible es expuesta a la luz y luego la carga desarrollada es transferida al área de almacenamiento para su lectura. Esto es innecesario para las altas velocidades de lectura requeridas en los sistemas de TV y sólo entonces debido al tiempo necesario para la lectura y no para la transferencia de datos. Los datos son leídos secuencialmente, mientras se graba el siguiente cuadro.
Figura 4.- CCD para transferencia de cuadros.
En la transferencia de interlíneas, las secciones de lectura están mezcladas con los elementos sensibles. La salida de cada columna es tomada en paralelo utilizando un registro común (figura 5). Aunque potencialmente es más rápida que la transferencia de cuadros debido a que las regiones sensibles a la luz están intercaladas con regiones no sensibles, se pierde la mitad de los puntos de la imagen.
Figura 5.- CCD para transferencia de interlíneas.
SISTEMAS DE ESCANEO EN MODO “CIS”
INTRODUCCION.
El Dispositivo Acoplado por carga (CCD) ha estado ampliamente utilizado en el escaneo detallado de pagina de documentos por muchos años. Como la longitud de un CCD es cerca de una pulgada; se requiere un lente de reducción cóncavo para centrar la imagen de una pagina de tamaño estándar de ancho de 8.5 pulgadas en el CCD.
El uso de sensores de imagen lineales para ecanear documentos comenzó hace 20 años.
El dispositivo principal utilizado para este propósito son los CCD o arreglos de fotodiodos, al ecanear un documento requiere tres elementos principales para capturar la imagen:
1.- Una fuente de luz para iluminar el documento.
2.- Un lente para centrar la imagen del documento en un sensor de imagen.
3.- Un sensor de imagen.
Desde entonces se utilizo un CCD para esta aplicación y reducir a una pulgada la imagen standard de una página de 8.5 pulg. mediante una lente de reducción. Este también requiere una distancia de separación de 30 cm entre el sensor y el documento.
EL MODULO CIS.
El modulo de sensor de imagen de contacto (CIS) se ha desarrollado para mejorar 1as deficiencias del sistema de reducción de lente de sensor de imagen. La distancia del documento al sensor de imagen SE ha reducido a 2 cm y un plan de reducción de lente no esta requerido, desde entonces la longitud de módulo CIS esta a una relación uno a uno para el documento que se registra.
La longitud del módulo esta determinado por la longitud requerida para el documento registrado. Para longitudes arriba de 36 pulgadas aún se están desarrollando. La luz proviene de un arreglo de LED's que iluminan el documento. La pagina iluminada esta
enfocada hacia el sensor de imagen mediante un lente de varilla. El sensor de imagen se montó en un substrato cerámico junto con un amplificador de salida y componentes electrónicos
DESCRIPCION DEL MODULO CIS.
Dos configuraciones de chips están disponibles. Un chip con 200 dpi tiene un tamaño de 7935 x 700 micrómetros. Hay 64 foto elementos que tienen 85 x 85 micrómetros en 125 micrómetro cuadrados al centro. El Chip de 400 dpi tiene 8088 x 700 micrómetros. Hay 128 foto elementos que tienen 34.5 x 87 micrómetros en 63.5 micrómetros al centro. Estas largas áreas de foto elementos ofrecen una mayor sensibilidad que los CCD's usuales que generalmente tienen foto sitios de 10 a 15 micrómetros cuadrados. Los chips son punteados al final en el substrato cerámico para producir la longitud deseada.
El arreglo de LED's está compuesto por elementos LED individuales que están espaciados para una iluminación óptima del documento. LED's amarillo-verde están utilizados para ofrecer un uso más amplio con papel de diferentes colores y marcas de pluma y lápiz. Otros LED's pueden utilizarse en aplicaciones donde se usan diferentes colores. El LED rojo están disponibles con una emisión de pico de longitud de onda de 660 nanómetros que son más eficientes que el LED amarillo-verde y proveer mejor sensibilidad. Es también posible proveer un banco de LED's con tres colores de azul, rojo y verde para obtener registros a color.
El lente de varilla utilizado en el módulo CIS es un arreglo lineal de micro lentes que se coloca en una o dos filas dependiendo de la transmisión óptica requerida (para 400 dpi el módulo CIS Utiliza dos filas). Cada varilla esta cerca de 1 mm en diámetro y puede ser provisto con una conjugación total desde 16 a 65 milímetros. El uso de este lente provee calidad superior de imagen sin distorsión en la periferia.
El módulo CIS estándar utiliza unos 15.5 milímetros tota1es y conjuga los lentes para proporcionar la configuración más pequeña. Este lente produce una profundidad de foco de mas o menos 0.3 milímetros. Una lente con una conjugación más larga y mayor profundidad de foco puede ser provista para aplicaciones con requisitos más estrictos para escaneo facsímil. El lente y los 400 dpi del chip sensor de imagen ofrece una excelente resolución con una función de transferencia de modulación ( MTF) que mejora el 60% a 4 pares de línea por milímetro (4 Ip / mm).
FOTODETECTOR.
El foto detector de este chip CIS es un fototransistor. A diferencia de un fotodiodo, el fototransistor amplifica la foto corriente debido a la ganancia de emisor común (hfe) del transistor. Luz con unos 620 nm de longitud de onda provee la respuesta máxima, con un ancho de banda de cerca de 250 nm (- 3 db). El primero y ultimo fotoelemento generalmente tiene menos sensibilidad de luz debido a un efecto de borde, así están diseñados para tener 10% mas rendimiento comparadas con otras reas de foto elementos.
Debido a la ganancia alta suministrada por el fototransistor, la carga almacenada en el condensador de almacenamiento asociado a cada transistor puede ser descargada rápidamente cuando el interruptor fototransistor esta encendido. Esto permite que el modulo opere en una frecuencia de reloj tan alta como 2 MHZ.
SENSORES DE IMAGEN DE PIXELES ACTIVOS CMOS (A.P.S.)
Introducción
El campo de aplicación de los sensores de imagen de estado sólido se ha incrementado continuamente desde la invención de la tecnología CCD en 1970 (imágenes digitales, visión industrial, robótica, teledetección, microcámaras. ..)
Recordaremos que el concepto CCD (para Charge coupled device) está basado en la transferencia paso a paso de cargas fotoelectrónicas creadas por la luz en cada pixel, hasta un punto único de salida.
Los dispositivos CCD, muy conocidos por ejemplo en las cámaras de vídeo, las cámaras astronómicas o en los sensores de imagen en tos satélites..., han ido constituyendo hasta la fecha la tecnología dominante, pero deben ahora competir con un nuevo sensor de imagen llamado A.P.S. (Active Pixel Sensor), el cual posee algunas ventajas. Estamos desarrollando nuestra investigación en torno a esta clase de sensor, en especial en el campo de aplicaciones aeronáuticas y espaciales.
¿ Qué es un A.P.S. ?
El principio del APS, como se ve en la figura más abajo, consiste en asociar al detector fotosensible en cada célula pixel (fotodiodo o fotoMOS) varios transistores activos para proporcionar una ampliación y una selección de la señal que proviene de las cargas fotogeneradas. La señal de voltaje es entonces transferida hasta la salida a través de un column-bus, como en una célula de memoria. Con este principio ya no se necesitan, como en los CCD, las numerosas transferencias de carga de pixel a pixel hacia la salida del CCD, con las limitaciones que acarrea.
El concepto APS presenta las ventajas siguientes:
• Los sensores del CMOS pueden tomar la ventaja por los costos bajos en la producción.
• Los productos pueden correrse en los procesos mas comunes sub micron CMOS con mínimos cambios, permitiendo fabricarlos fácilmente en las fundiciones.
• Desde que los sensores del CMOS son manufacturados en los mismos procesos como aquellos procesos para circuitos analógicos y digitales, permitiendo virtualmente que cualquier funcionalidad puede integrarse en el chip, reduciendo el número por eso, de componentes y logrando el más bajo costo del sistema.
• Acceso aleatorio a pixeles y sistemas de ventanas. Posibilidad de alta velocidad de lectura.
• Bajo consumo de energía (20-50 mW) El CI CMOS se alimenta con 3.3V y se está moviendo rápidamente a 2.5 V. Los CCDs usan una fuente de alimentación de 15V
• Posibilidad de aprovechar las mejoras en la reducción de tamaños para realizar pixeles de dimensiones reducidas y una mayor superficie de matrices de sensor.
(a)
(b)
Figura 12.- (a).- El concepto APS. (b).- Una matriz APS de 256*256 pixeles desarrolladapor el grupo CIM
Los Sensores de Imagen CMOS, Los Sistemas de Imagen en un solo Chip
LA RECETA PARA PROCESAR EL PODER
Los sensores de estado sólido, incluso CCDs y CMOS, usan una propiedad física particular del silicio llamó el efecto fotoeléctrico. Cuando los fotones golpean silicio, ellos excitan los electrones de la banda de valencia a la banda de la conducción. El número de electrones" liberado" es proporcional al número de fotones que golpean al silicio y su longitud de onda. Así, en vigencia, el número de electrones coleccionado varía con la intensidad y el color de la iluminación. Estos electrones son, una representación electrónica de la escena tomada. Para una aplicación típica, la escena es enfocada sobre el pixel con la ayuda de una lente óptica. A más grande número de pixeles, es más fina la resolución del sensor. El pixel es el ojo del sensor. Su eficacia de la conversión de fotones a los electrones determina su sensibilidad. Ésta es típicamente una función del tamaño y abertura del pixel.
La proporción de conversión de carga en voltaje también es importante ya que el paquete de carga de electrón tiene que ser convertida en una señal que puede medirse y puede manipularse para el proceso señalado. Cuando los pixeles se ponen típicamente en una reja ortogonal (para las series del área), un mecanismo tiene que existir para leer todas las filas y columnas de pixeles individuales que comprenden el sensor. En este punto, el CMOS y el CCD son idénticos en su funcionalidad. Sólo está en la aplicación dónde ellos difieren.
PONIENDO TODO JUNTO
La tecnología de fabricación CCD no ha estado sujeta a mucha evolución desde que su invención. Todavía se fabrican CCDs en los procesos de NMOS. Quizás el cambio más significante ha estado en el área de rendimientos, ahora los rendimientos les permiten a los fabricantes producir sensores de CCD de multi-megapixel de resolución. La lenta evolución de equipo ha obligado a los fabricantes de CCD a que continúen usando obleas de 4-6 pulgadas dónde el resto de la industria está en obleas de 8-12 pulgadas. La desigualdad en
el proceso de la tecnología para CCDs evita la integración adicional en chip para tener en el mismo el sensor y la conversión de voltaje. Como resultado, toda la señal se procesa fuera del sensor con circuitos integrados CMOS
Esto no quiere decir que los sensores del CMOS no tiene problemas. La calidad de la imagen de sensores del CMOS puede variar significativamente entre los fabricantes diferentes y en la mayoría de los casos no está a la par con los CCDs. El problema principal con los sensores CMOS es la actuación del ruido. Estos sensores usan los pixeles activos, de sus nombre Active Pixel Sensores (APS). Cada pixel tiene un amplificador que convierte el paquete de carga reunido a un voltaje. Las desigualdades en los transistores pueden producir las desigualdades en los amplificadores, causando una desigualdad en la respuesta de los pixeles. La otra fuente mayor de ruido es la corriente oscura que produce una carga que contamina la imagen.
Desde que cada pixel tiene un amplificador, el área del pixel entera no puede usarse para detectar fotónes. Esto produce que la abertura sea de menos de 100 por ciento, causando una insensibilidad y una caída de la señal de salida. Con las caídas señaladas y el ruido, el signo neto a la proporción del ruido (SNR) deteriora, produciendo un más bajo rango dinámico del sistema. Alguna de esta pérdida se compensa por el hecho que toda las señales se procesan en un solo chip, cerca de la fuente señalada. Los adelantos han producido calidad de la imagen de sensores del CMOS que eran hace una década escasamente aceptables, siendo comparable a las de CCDs.
Los sistemas completos en un solo chip a veces son llamados "los sistemas inteligentes", los sistemas que pueden darse cuenta de la luz, datos del proceso y hacer las decisiones inteligentes serán los sistemas verdaderamente inteligentes. Varios proveedores del CMOS, están siguiendo la investigación agresivamente en el área de "Sistemas de Imagen Inteligentes". Como las normas para las aplicaciones específicas para los sensores de imagen empiezan, se harán los esfuerzos más convenidos en este área por todos los jugadores.
SENSOR DE IMAGEN FOVEON X3 (VPS)
La empresa Foveon Inc, de Santa Clara, California, anunció el 11 de febrero de 2002 el lanzamiento de su nueva línea de sensores para imagen digital. El Foveon X3.
Será el primer sensor, en captar la luz roja, verde y azul del espectro visible en cada pixel. La compañía manifiesta, que esto dará lugar a capturas de imágenes más agudas y fieles al color. Encajan el color, utilizando 3 fotodetectores de silicio, uno por cada color, en cada pixel. Se prevé, que estará disponible próximamente en el mercado para cualquier tipo de cámara digital y soportes digitales.
La "tecnología de Foveon X3 permite obtener la fotografía digital con la calidad que los consumidores han venido esperando solamente de la película." "la tecnología de sensor actual la imagen no ha permitido a cámaras fotográficas digitales realizar su capacidad máxima. Se cree que las brechas de la tecnología de Foveon X3 formarán la fundación de una nueva generación de cámaras fotográficas digitales en todas las clases."
El nombre X3 viene de una capacidad única que la tecnología de Foveon X3 proporciona; la capacidad de capturar tres colores en cada pixel. Los sensores de la imagen de Foveon X3 capturan el color completo de una imagen sin usar un filtro del mosaico del color y sin el costo, la complejidad, y las limitaciones de los sistemas de la multi-viruta tales como una cámara fotográfica 3-CCD o similares,esencialmente, Foveon ha desarrollado una solución monopastilla para capturar color completo en una imagen. Los
métodos anteriores para capturar color completo eran costosos, y eran solamente apropiados para los sistemas muy high-end.
La brecha de Foveon X3 es lograda apilando tres fotodetectores dentro de cada pixel.
Cada uno de los fotodetectores se templa para capturar un diverso color, uno dedicado a la luz roja, uno al verde, y uno al azul. Virtualmente cada sensor de la imagen del color registra apenas un color por pixel. Consecuentemente, la tecnología de Foveon X3 entrega dos veces la agudeza, el detalle mejor del color, y la resistencia mucho mayor a los artefactos imprevisibles del color en la comparación a otros sensores de imagen con el mismo número de pixeles.
Además de la brecha en la resolución del color, los sensores de la imagen de Foveon X3 son los primeros para incorporar el tamaño variable del pixel para los sensores de la imagen del color, permitiendo una nueva clase de las cámaras fotográficas duales de la capacidad still/video que sobresalen en la calidad de la imagen para ambos modos de la captura.
Ventajas Del Funcionamiento: Agudeza creciente sin artefactos
Los sensores de la imagen con la tecnología de Foveon X3 son mucho menos susceptibles a los artefactos digitales y crean imágenes más agudas. Los sensores actuales de la imagen de color (CCD y CMOS) contienen apenas una capa de detectores monocromáticos de la foto, con un fotodetector por pixel. Para capturar color, los pixeles en el sensor de imagen se organizan en un patrón del mosaico que se asemeja a un tablero de damas de tres colores. Consecuentemente, cada pixel captura apenas un color rojo,
verde o azul. El uso de los filtros del color del mosaico en sensores de la imagen tiene desventajas inherentes, puesto que capturan solamente un color, los sensores mosaico de imagen deben confiar en el proceso complejo para interpolar los dos tercios restante de los colores que no se capturan. La interpolación conduce a una pérdida del detalle y del color de la imagen. Para compensar, algunas cámaras fotográficas velan intencionalmente cuadros para reducir estos efectos.
Los pixeles de Foveon X3 maximizan el uso de la luz puesto que los tres colores se recogen en cada pixel. Con los sensores de la imagen de Foveon X3, las fotografías están agudas y virtualmente libres de artefactos del color. "el detalle y el color fotográficos que se puede alcanzar con esta tecnología es sin igual," "pixel por píxel las cámaras fotográficas digitales basadas en Foveon X3 entregará imágenes de la más de alta calidad que cualquier otro sensor de imagen. "
VPS: Funcionamiento y alta resolución video en un solo chip. Los sensores de Foveon X3 se diseñan con el VPS (Variable Pixel Sensor). VPS combina las ventajas de pixeles grandes y pequeños juntas en un solo sensor de la imagen. Pixeles más pequeños traen la ventaja de una resolución más alta y de imágenes más agudas exigidas por fotografía inmóvil. Pixeles más grandes traen la ventaja de una sensibilidad ligera más alta que sea necesaria para las situaciones de la luz corta, sistemas automaticos más rápidos del foco y los usos en video. El cambiar de los tamaños del pixel se logra instantáneamente y se alcanza solamente con la captura del lleno-color de la tecnología de Foveon X3.
Separación De colores Del Silicio. Los sensores de la imagen de Foveon X3 son los únicos sensores de imagen del mundo que capturan imágenes del color aprovechándose de las características de la separación de color que proporciona el silicio de forma natural. Es una característica bien conocida del silicio que la luz de diversos colores se absorbe en
diversas profundidades; la luz azul se absorbe cerca de la superficie, la luz verde es absorbida más lejos, y la luz roja es incluso más profunda. Cada pixel de Foveon X3 consiste en tres fotodetectores situados en diversas profundidades dentro del sensor que detectaron la absorción de la luz roja, verde, y azul que ha penetrado en el silicio. Los tres fotodetectores convierten la luz que se absorbe en el silicio en tres señales que después se convierten a datos digitales y se procesan con el software del proceso de imagen de Foveon.
Costo Menos Complejo, Más bajo. Los sensores de la imagen de Foveon X3 aerodinamizan el diseño electrónico de cámaras fotográficas digitales. Las cámaras fotográficas digitales de hoy deben utilizar algoritmos matemáticos complejos para estimar los valores rojos, verdes, y azules de cada pixel, puesto que solamente un color por pixel se está midiendo verdaderamente. Para lograr esta interpolación, el hardware de proceso dedicado y el software, se requieren dentro de la cámara fotográfica. La interpolación del color agrega costo y complejidad a una cámara fotográfica mientras que el aumento retrasa entre disparar el botón del obturador y capturar un cuadro. Este retraso causado por los
requisitos del proceso, pueden dar lugar a la diferencia entre capturar un gran cuadro o ninguno. Capturando los tres colores en cada pixel, los sensores basados en Foveon X3 eliminan la necesidad de la interpolación costosa, compleja, además de evitar errores en el color. "Para desarrollar la tecnología de Foveon X3, se ha integrado el conocimiento de la ciencia del color, proceso de imagen, diseño del sensor de imagen y software para desarrollar un producto que está destinado convertirse en el estándar en los sensores de imagen para las cámaras fotográficas electrónicas," dijo al fundador de Carver Mead, de Foveon y presidente de la mesa.
Disponibilidad. La disponibilidad inmediata de los primeros dos sensores de imagen.
El primero, el F7-35x3-a25b, tiene una resolución de 2304 x 1536 x 3, y se diseña para un formato óptico de 4/3 pulgada. El segundo sensor de la imagen, el F10-14x3-d0å, se diseña para un formato el 1/2"óptico, tiene una resolución de 1344 x 1024 x 3. Los kits del diseño de la referencia que consisten en un hardware se refieren a la plataforma y el desarrollo del software está también disponible para O.E.M.s. El primer cliente de Foveon para la tecnología de Foveon X3 es Sigma Corporation, que está utilizando el sensor de imagen de F07-35x3-a25b en la cámara fotográfica digital de la sigma SD9 SLR. Sigma Corporation introducirá el SD9 en la cabina #1635 en PMA en Orlando, la Florida, el 24 de febrero de 2002.
