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Estructura Electrónica de Sólidos Inorgánicos

Estructura Electrónica de Sólidos Inorgánicos

estado de oxidación del azufre no es aquí tema de debate y el estado de oxidación asignado a los átomos de azufre en la calcopirita en todos los trabajos consultados es de -2. Además de encontrar trabajos contradictorios respecto de la asignación de los estados de oxidación de hierro y cobre, también se ha encontrado que el comportamiento magnético observado experimentalmente para este compuesto a bajas temperaturas dista mucho de ser simple, aunque surgen ciertas dudas de la calidad de las mediciones publicadas ya que la mayoría de los estudios se realizaron con muestras naturales del mineral que pueden contener una cantidad indeterminada de impurezas paramagnéticas que podrían estar en el origen del comportamiento anómalo descrito para las propiedades magnéticas de este compuesto. Esta situación nos motivó a realizar un estudio exhaustivo de la estructura electrónica de este compuesto mediante cálculos ab initio así como un estudio experimental en colaboración con el grupo del Prof. Jaime Llanos en la Universidad Católica del Norte en Chile, especializado en la síntesis de este tipo de sulfuros, para determinar sin lugar a dudas su comportamiento magnético a bajas temperaturas 123-127 . A grandes rasgos el trabajo
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Estructura electrónica y propiedades ópticas de puntos cuánticos auto-organizados.

Estructura electrónica y propiedades ópticas de puntos cuánticos auto-organizados.

En la Figura 2.36 hemos representado P PZ (r) calculada a partir de la Ec. (2.93) para un punto cuántico con geometría de cono truncado y dimensiones: h QD = 3.6 nm, R QD = 8.3 nm y un ángulo entre la base y la supercie lateral de α = 30 °. La ratio r QD = R QD /h QD correspondiente a esta geometría es 2.3 . Este valor también se utilizará en el estudio de la estructura electrónica de QDs de GaN/AlN que realizaremos en el Capítulo 3, y por tanto los resultados de esta Sección, podrán ser aprovechados en la discusión de los resultados de la estructura electrónica de los QDs. Los contornos de la Figura 2.36 representan el valor absoluto de la polar- ización y las echas su dirección y su sentido. Por ser la polarización proporcional a la deformación, tendremos que la gráca es independiente de la escala escogida en la representación. Vemos que el valor máximo de la polarización en el interior del QD se localiza en la región de contacto entre las supercies inferior y lateral del QD. Dicho valor se reduce en dirección al eje del QD y hacia la supercie su- perior. En la barrera, la polarización es mayor en las supercies superior e inferior del QD y disminuye al considerar puntos cada vez más alejados de la heteroes- tructura. En la zona próxima al eje, el vector de polarización está orientado en la dirección normal a las supercies superior e inferior del QD. Sin embargo, en la región de la intercara lateral la polarización se orienta aproximadamente paralela a la misma. Sabemos que la densidad de carga supercial se puede calcular como σ p = P · n ˆ . Por consiguiente, σ será mayor en las supercies superior e inferior que
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ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE NANOESTRUCTURAS DE ZnO

ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE NANOESTRUCTURAS DE ZnO

Las técnicas espectroscópicas han sido utilizadas en la caracterización y el estudio de las propiedades electrónicas de los materiales. Básicamente una técnica de espectroscopía consiste en hacer pasar un haz (ondas electromagnéticas o partículas) a través de la muestra y se analiza la interacción de dicho haz con el material, el resultado de esta interacción son señales en forma de luz, rayos X, electrones, etc [24]. La técnica que utiliza un haz de electrones incidente y la pérdida de energía que sufre el haz incidente al interaccionar con la materia se conoce como Espectroscopía de Pérdida de Energía de Electrones, o EELS, por sus siglas en inglés (Electron Energy Loss Spectroscopy). La naturaleza de esta pérdida de energía dependerá de la composición y de la estructura electrónica del material.
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Contribución del ordenamiento magnético a la estabilidad y la estructura electrónica del nitruro de cromo

Contribución del ordenamiento magnético a la estabilidad y la estructura electrónica del nitruro de cromo

Esta estructura no tiene frecuencias imaginarias en el punto Γ y por lo tanto no es necesario hacer un an´ alisis de modos. Respecto a esta estructura es importante men- cionar que la simetr´ıa espacial se ve reducida debido al arreglo de espines, sin embargo las posiciones at´ omicas no cambian, esta nueva simetr´ıa espacial corresponde al grupo P 4/mnc, debido a esto el camino en la primera zona de Brillouin cambia a aquel de la red tetragonal. En la figura 5.5 se muestra el diagrama de bandas fon´ onicas de esta fase en donde se evidencia que no existen frecuencias imaginarias y que por tanto esta fase es din´ amicamente estable, lo cual est´ a en buen acuerdo con los resultados para funcionales no locales de [70]. En esta figura adem´ as se puede apreciar el alto grado de degeneraci´ on que hay en los autovalores debido a la simetr´ıa cristalina, as´ı como una gran diferencia entre los modos 4 − 5 y 6, y al igual que la estructura anterior hay una alta respuesta diel´ ectrica ante las variaciones de frecuencias de una onda electro- magn´ etica. Por ´ ultimo es importante mencionar que aunque esta fase, que en adelante ser´ a referida como Modelo Estructural 2, tiene un alto grado de enlace en el cromo es estable porque tiene menos electrones desapareados por ´ atomo de cromo, como se ver´ a despu´ es, y entonces la estructura de enlaces no se ve debilitada por el efecto de la polarizaci´ on de esp´ın.
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"ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y ENERGÍA PROHIBIDA EN ALEACIÓN CRISTALINA DE ALUMINIO ARSENIO AlAs"

"ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y ENERGÍA PROHIBIDA EN ALEACIÓN CRISTALINA DE ALUMINIO ARSENIO AlAs"

cabrera arista quimica2019 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO UNIDAD DE INVESTIGACION DE LA FACULTAD DE INGENIER?A QU?MICA LOCT 201,1 "ESTRUCTURA ELECTR?NICA Y ENERG?A PROHIBIDA EN ALEACI?N CRISTALINA DE[.]

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Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio   fósforo (AIP)

Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio fósforo (AIP)

217 FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA INSTITUTO DE INVESTIGACION DE LA FIQ R UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO E V!!"" r '????? '"" ~~ ''!\'ESTIGACI?N ~ / 36 B 1 o JUN 2015 ? 6 Mu ? ,, / ? 11 /? ?????????[.]

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Síntesis y estructura electrónica y molecular de compuestos inorgánicos del tipo representativos

Síntesis y estructura electrónica y molecular de compuestos inorgánicos del tipo representativos

El empaquetamiento cristalino junto con las interacciones intermoleculares más importantes son mostrados en la Figura 5.8. El análisis estructural determina que cinco interacciones de tipo no enlazantes presentan distancias menores a la suma de los radios de van der Waals de los átomos intervinientes (ver Tabla 5.5). Tres de estas interacciones parecen corresponderse con enlaces de halógeno, siendo la distancia más corta detectada la correspondiente a la interacción del átomo de Cl ubicado en posición anti con respecto al grupo –SCN, con el átomo de N de otra molécula de la celda unidad. Esta interacción Cl···N (-1/2+x, ½-y, -1/2+z), cuya distancia de 3,087 Å, es menor a la suma de los radios de van der Waals de 3,3 Å, presenta un 7 % de solapamiento atómico y condiciona claramente el empaquetamiento cristalino. El ángulo de interacción C-Cl···N de 171,8° está en claro acuerdo con la direccionalidad reportada para este tipo de enlaces en los cuales el átomo de Cl actúa como aceptor de densidad electrónica negativa a lo largo del eje de unión covalente C-Cl. En la Figura 5.8 se puede visualizar que esta interacción de enlace de halógeno (marcada con líneas discontinuas verdes) produce la unión tipo cabeza (-CCl 3 )-
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Estructura electrónica del a-Bi2O3 con el método de enlace fuerte Huckel extendido.

Estructura electrónica del a-Bi2O3 con el método de enlace fuerte Huckel extendido.

El a— Bi2O3 es un material importante en la fabricacién de catalizadores de Bi-Mo-O. No se han encontrado estudios sobre la estructura electronica de tal material en la literatura cienti[r]

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2. Estructura electrónica de los átomos. Sistema Periódico

2. Estructura electrónica de los átomos. Sistema Periódico

• Todos los elementos de un mismo grupo tienen idéntica configuración electrónica en su capa más externa (capa de valencia). Estos electrones se denominan electrones de valencia, y son los responsables de sus propiedades químicas y del tipo de enlace que van a presentar.

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Estructura electrónica y propiedades magnéticas de nanoaleaciones de FeNi

Estructura electrónica y propiedades magnéticas de nanoaleaciones de FeNi

En sus principios, la mec´ anica cu´ antica se restring´ıa a encontrar solucio- nes para la estructura electr´ onica de sistemas peque˜ nos, como el ´ atomo de Hidr´ ogeno o ´ atomos no multielectr´ onicos, sistemas diat´ omicos y altamente sim´ etricos. Sin embargo, actualmente la complejidad de los sistemas a resol- ver es mucho mayor, y la dificultad de los c´ alculos es tal, que se requiere de m´ etodos computacionales que resuelven dichos c´ alculos mediante m´ etodos num´ ericos.

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ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE NANOESTRUCTURAS DE ZnO

ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE NANOESTRUCTURAS DE ZnO

En la tabla se muestra un resumen de los datos de las estructuras estudiadas. Como se puede observar, en cada uno de los clusters el radio de la estructura se mantuvo constante, el aumento de tamaño se llevó a cabo a lo largo del eje z, iniciando en 5 Å y concluyendo en 23 Å. En términos del número de átomos esto significa que la menor de las estructuras está formada por 48 átomos y la mayor consta de 216. Además se muestra el número de puntos k utilizados en cada caso para realizar el cálculo de la densidad de estados y su posterior resultado en términos del gap de cada estructura. Para corroborar los resultados obtenidos de la densidad de estados aumentamos el número de puntos k, hasta un valor tal que el valor del gap ya no presentara ningún cambio durante los cálculos. Los resultados fueron los siguientes:
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Física y Química TEMA 1

Física y Química TEMA 1

• La capa de valencia está formada por las órbitas ocupadas más externas, es decir cuyo nº cuántico principal es mayor. En este caso es la 5p 4 , que contiene cuatro electrones y por tanto su valencia principal es ─ 2, pues tiene tendencia a capturar dos electrones para que su estructura electrónica cumpla la regla del octeto

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Clase2.Bioelementos Biomoleculas

Clase2.Bioelementos Biomoleculas

• El átomo de carbono es un elemento químico perteneciente al periodo 2, por lo que su configuración electrónica alcanza hasta el segundo nivel (1s2 2s2 2p2). De los seis electrones de su corteza electrónica, cuatro pertenecen a la capa más externa. De esta manera, el carbono pertenece al grupo 14 del sistema periódico, donde todos los elementos del grupo poseen cuatro electrones en su última capa. A todos estos elementos les faltan otros cuatro electrones para alcanzar la estructura electrónica más estable de los gases nobles (regla del octeto).

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Problemas. Átomos y sus enlaces.pdf

Problemas. Átomos y sus enlaces.pdf

Completa la tabla con la estructura electrónica del átomo de Al y compáralo con su situación en la tabla.. Haz una tabla similar con la estructura electrónica del dibujo.[r]

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UNIDAD 4Q TEORÍA

UNIDAD 4Q TEORÍA

Todos los elementos de un mismo grupo tienen la misma estructura electrónica en su última capa (capa de valencia), de ahí que tengan unas propiedades químicas similares (las propiedades químicas de los elementos están íntimamente ligadas a la estructura electrónica de su última capa). Los gases nobles tienen una estructura electrónica especialmente estable que se corresponde con 8 electrones en su última capa (excepto el helio que tiene 2).

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Propiedades termoeléctricas del carbonitruro de renio (ReCN)Thermoelectric properties of rehnium carbonitride (ReCN)

Propiedades termoeléctricas del carbonitruro de renio (ReCN)Thermoelectric properties of rehnium carbonitride (ReCN)

Este programa se basa en el método de LAPW, que es muy utilizado para calcular la estructura electrónica en cristales. El método LAPW también utiliza la teoría de funcionales de la densidad (por sus siglas en inglés, DFT density functional theory), que permite simplificar el Hamiltoniano del sistema, el cual, utiliza la aproximación de Born-Oppenheimer, que establece que a los núcleos que componen el material se les considera fijos y en otra aproximación que se considera clave y que consiste en suponer que la densidad electrónica en el estado fundamental contiene la información necesaria del sistema para poder estudiarlo (Blaha et al., 2018). Como la mayoría de los métodos para bandas de energía, el método LAPW, es un procedimiento para resolver la ecuación de Kohn-Sham para la densidad del estado fundamental, la energía total y los eigenvalores de un sistema de muchos electrones.
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Síntesis y Caracterización de Nanofibras de Oxido de Cromo

Síntesis y Caracterización de Nanofibras de Oxido de Cromo

La investigación en el área de la ciencia de los materiales es de fundamental importancia para la incorporación de nuevos materiales, que debido a sus estructuras y propiedades permitan extender el campo de aplicación tecnológica. La creación de nanomateriales compuestos (nanocompósitos) está intrínsecamente asociada con el entendimiento de las propiedades que resultan de la combinación y estructuración de materiales distintos. La comprensión de la relación existente entre las propiedades eléctricas, térmicas, así como de estructura electrónica y la interacción PVP y Nitrato de Cromo III Nonahidratado para síntesis de nanofibras de Óxido de Cromo III, permitirá la optimización de las propiedades con el propósito de aplicar nuevas funcionalidades en aplicaciones como empaques de disipación, tintas de impresoras, materiales piezoeléctricos, sensores, diodos orgánicos emisores de luz (OLED), baterías recargables, materiales electrocrómicos, pantallas, recubrimientos inhibidores a la corrosión, entre otras. Con el presente trabajo se pretende contribuir al desarrollo de nanofibras de óxidos metálicos, en particular del óxido de cromo (Cr 2 O 3 ).
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Espectroscopía computacional de sistemas complejos: superficies metal-molécula y moléculas semirrígidas

Espectroscopía computacional de sistemas complejos: superficies metal-molécula y moléculas semirrígidas

sustrato metálico hacen imposible que pueda ser representado explícitamente en los cálculos mecanocuánticos, por lo que hay que recurrir a simplificar el sistema en estudio manteniendo su utilidad, es decir, manteniendo su capacidad para analizar convenientemente el complejo comportamiento observado. En este sentido, el grupo de investigación de “Espectroscopía y Estructura Molecular” del Departamento de Química Física de la Universidad de Málaga ha venido centrando su actividad investigadora. Se han estudiado los espectros SERS de moléculas derivadas del benceno tanto experimentalmente, utilizando nanopartículas y electrodos rugosos, como a nivel teórico. Para ello se han registrado series de espectros de moléculas de diferente naturaleza, para deducir patrones de comportamiento generales. Paralelamente, se han desarrollado metodologías teóricas para simular el efecto del metal sobre la estructura electrónica del complejo superficial y de su repercusión sobre las intensidades Raman, prestando especial interés en el estudio de la dependencia de los espectros con la diferencia de potencial eléctrico de la interfase. 4-16 Estos estudios
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