PDF superior CAPITULO 8 AMPLIFICADORES DE POTENCIA (AP)

El diseñador optimiza (a menudo por ensayo y error) el funcionamiento (generalmente la potencia de salida) de un circuito usando un transistor particular en una frecuencia y voltaje de alimentación especificados. Quita enseguida el transistor del circuito y mide las impedancias vistas (a frecuencia de portadora) por el colector y la base. Los complejos conjugados de las impedancias medidas, son entonces las impedancias en señal fuerte del transistor en esa frecuencia, voltaje de alimentación y potencia de salida. Aunque la potencia de salida es usualmente el parámetro optimizado por el diseñador, se podrían utilizar similarmente las impedancias en señal fuerte para especificar condiciones para ganancia en potencia o eficiencia máxima.

En ´este cap´ıtulo se presentar´an resultados experimentales obtenidos de la caracteri- zaci´on de AP clase F y clase F inverso construidos de acuerdo al dise˜no presentado en el cap´ıtulo anterior. El dise˜no y las simulaciones fueron desarrolladas en ADS. En la medici´on del dispositivo, caracterizaci´on y construcci´on del AP se utilizaron “T” de polarizaci´on de la compa˜nia Picosecond Pulse Labs, con la finalidad de suministrar los altos voltajes y corrientes de alimentaci´on requeridos. Esto es necesario para evitar al m´aximo la degradaci´on de la se˜nal, teniendo p´erdidas por inserci´on m´ınimas y alta respuesta en frecuencia. En este cap´ıtulo tiene como proposito resaltar la importancia del modelado aplicado a la nueva tecnolog´ıa en transistores AlGaN/GaN HEMT para el dise˜no de AP. Se utilizar´a el transistor RT233PD encapsulado para el dise˜no, se com- parar´a el resultado de las mediciones hechas en el laboratorio contra las sumulaciones, demostrar la capacidad de dispositivos GaN como amplificadores de potencia de alta eficiencia. Igualmente, se demostrar´a que las redes obtenidas y analizadas son parte fundamental que permiten tener m´axima eficiencia y potencia de salida.

V . Si la potencia entregada es mayor que la absorbida, la amplitud de la oscilación crece. Esto hace que la oscilación crezca cada vez más entre a y b. En estos puntos la resistencia negativa promedio se hace cada vez más grande lo que reduce la potencia entregada hasta que se logra el equilibrio.

10 En el caso de la empresa perfectamente competitiva, el nivel de producción que maximiza el beneficio o nivel de producción óptimo tiene lugar cuando el precio es igual al costo [r]

• Los radios y espesor de las placas del transductor ultrasónico de potencia obtenidas mediante la simulación en COMSOL fueron evaluados en la relación (3.1.5) obteniendo frecuencias de vibración muy cercanas a la que mostraba la simulación. Luego al medir el transductor en el puente de impedancia con ambas placas, y obtener las frecuencias de resonancia se compararon éstas con las frecuencias de vibración de las placas obtenidas mediante la teoría. Los valores teóricos y experimentales son muy similares con errores porcentuales menores al 1,4%. Esto es muy importante ya que se requiere que el transductor vibre a una frecuencia igual a la frecuencia de vibración de la placa correspondiente.

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Fase de Pruebas Usuario Desempeño Otros sistemas Datos de prueba Datos productivos Validar resultados de la prueba. Programas finales probados Programas probados Pruebas de integra[r]

coaccionados (filas eliminadas al considerar las condiciones de contorno) se obtienen los esfuerzos aplicados a estos g.d.l., es decir, las reacciones. A estas reacciones habrán de s[r]

Donde M es el número de canales en funcionamiento. Esta ecuación tiene una función ilustrativa ya que la potencia de salida puede ser diferente en cada canal, siempre que la potencia de salida sea inferior a la potencia del láser. Esta limitación es básica para sistemas con y sin OA’s. En algunos casos las no linealidades de la fibra imponen límites más restrictivos sobre el nivel de potencia de salida que las consideraciones de seguridad de los dispositivos láser. Específicamente la Modulación de Auto-Fase (SPM), la Modulación de Fase Cruzada (XPM) y la dispersión de Brillouin Estimulada (SBS) limitan la potencia máxima de canal. Los limites que sobre la potencia óptica imponen SPM y SBS no dependen del número de canales presentes, y en el caso de SPM, solo se ven afectados los sistemas basados en las fibras descritas en las Recomendaciones G.652 y G.655 de la UIT- T. Sin embargo, la XPM solo afecta sistemas multi-canal y se hace mas relevante en sistemas de separación reducida entre canales. Las degradaciones producidas por la XPM son mas significativas en sistemas que emplean las fibras ópticas descritas en la recomendación G.652. La máxima potencia de salida permitida para cada canal debido a las limitaciones derivadas de la XPM y SPM varía en función del código de aplicación empleado y depende del número de tramos de fibra y de la longitud objetivo de los mismos. La FWM solo afecta sistemas multi-canal y no presenta una limitación practica en sistemas que emplean las fibras ópticas descritas en las recomendaciones G.652 y G.655. Tampoco la Dispersión Estimulada de Raman presenta una limitación práctica en las fibras ópticas descritas en la recomendación G.652 en sistemas multi-canal.

Fíjese como los distintos artículos de enseñanza arriba mencionados pueden ayudar al novato a per- cibir las situaciones de una manera diferente. Esto e explica con más casos en "Ideas para las Sesiones de Práctica" en el Capítulo 10. en este capitulo conseguirá más ejemplos de diferentes ejercicios didácticos para aplicar en la enseñanza.

Un resultado destacable emerge de esta neutralización dada por los voltajes de ambos dispositivos y que muy a menudo suele ignorarse en las idealizaciones del amplificador de Doherty comunes. El punto clave es que sin importar los vaivenes que el amplificador auxiliar tenga con respecto a su voltaje de entrada, y sin importar qué tan imperfecto, aproximado o no lineal sea, su efecto parece invisible en la carga a la salida, cuyo voltaje permanece proporcional a . Esta propiedad se acerca a un proceso de linealización; si bien es el amplificador auxiliar un dispositivo sustancialmente no lineal y el que proporciona la mayor potencia a la salida de RF en la operación en alta potencia, la relación entre la potencia de entrada y la potencia de salida del amplificador de Doherty permanecerá definida por el amplificador principal, que puede ser mucho más lineal.

tante, en 3 h, una distancia de 120 km en una carrete- ra en rampa ascendente, llegando a 400 m de altura. Las resistencias externas al avance del automóvil son 200 N/1 000 kg. Hallar la potencia del motor, si el au- tomóvil tiene una eficiencia del 80%.

Los convertidores de potencia conmutados se han ido imponiendo a los convertidores lineales en innumerables aplicaciones por sus ventajas en cuanto a rendimiento, densidad volumétrica de potencia, potencias que pueden manejar y coste. Dentro de los sistemas de conversión de energía eléctrica se encuentran los convertidores de señal de tensión y corriente llamados convertidores DC-DC, AC-DC, AC-AC y DC-AC. El actual interés en la implementación de este tipo de sistemas se debe a los crecientes desarrollos y mejoras en los dispositivos semiconductores de potencia así como en los dispositivos programables. Estas mejoras se relacionan con la eficiencia, la frecuencia de conmutación, la velocidad de procesamiento y los rangos de potencia que soportan los Dispositivos.

Las comunicaciones m´ oviles se han convertido en el punto principal de las telecomu- nicaciones ya que facilitan la comunicaci´ on entre dos individuos en movimiento, mul- tiplicando as´ı el n´ umero de tel´ efonos celulares en los ´ ultimos a˜ nos. El aumento de la densidad de usuarios de los sistemas de comunicaci´ on obliga a una mayor reutilizaci´ on de las frecuencias y a recurrir a esquemas de modulaci´ on de elevada eficiencia espectral. Estos esquemas de modulaci´ on requieren del uso de modulaciones lineales, de lo con- trario, toda la eficiencia espectral ganada se perder´ıa por el efecto de ensanchamiento espectral asociado a las no linealidades del Amplificador de Potencia (AP ). A este factor hay que agregarle la conveniencia de disponer de equipos port´ atiles ligeros, de elevada autonom´ıa y de dimensiones reducidas [Padgett J.E. y C., 1995].

SISTEMA DE COPÉRNICO.. Esta descripción fue aceptada como correcta hasta que en el siglo XVI el monje y astrónomo polaco Nicolás Copérnico, que buscaba una solución más simple, propuso d[r]

Puesto que es sólo un símbolo genérico, pue- de variar ligeramente de acuerdo con cada va- riante de la que se trate. Ejemplo de ello, es el símbolo con que se identifica a los circuitos ló- gicos y a los amplificadores operacionales; de modo que para evitar confusiones entre la re- presentación de un buffer y la de un amplifica- Figura 2

AO con realimentación inversora de tensión  La señal a amplificar Vent se aplica a la entrada inversora a través de R1  La señal de salida aparece invertida  La resistencia Rr toma un[r]

Las con…guraciones multietapa clásicas, el par darlington, el ampli…cador diferencial y el cascode, presentan características propias, alta impedancia de entrada e incremento de la corri[r]

La simulacién del amplificador se hace utilizando el modelo no-lineal extraido de la caracterizacién de el transistor de potencia de encapsulado NE800299 y se simula utilizando el simula[r]

Las masas de aire frío se dan, frecuentemente por el movimiento de aire polar hacia latitudes más bajas, o por aire marítimo que se desplaza sobre la tierra más caliente o aire contine[r]