Discusiones finales

Comparando el espectro obtenido para la multiplicaci ´on de dos palabras de dos bits en estado est ´atico (figura 33) con el obtenido para la multiplicaci ´on de dos palabras de tres bits en este mismo estado (figura 35), se puede notar que la potencia de los bits de la palabra C de salida en el primer caso, es mayor que para el segundo caso. Tambi ´en puede observarse que el “piso” o el nivel de la ASE efectiva que resulta de la ASE del AFDE y del AOS, es mayor en el primer caso que en el segundo. Lo anterior se debe a que, en el caso de la multiplicaci ´on de dos palabras de tres bits, al haber m ´as bits de entrada, se consumen m ´as portadores en la banda de conducci ´on de la regi ´on activa del AOS, mermando as´ı la eficiencia de la generaci ´on de arm ´onicos por los batimientos presentes. Adem ´as, hay que recordar que en el esquema utilizado en la multiplicaci ´on de dos palabras de tres bits en estado est ´atico, se aten ´ua la potencia del hazCW para as´ı reducir la interacci ´on de este con los bits de la palabra B, por lo que la potencia de los bits de la palabra C de salida tambi ´en se reduce. Lo anterior tambi ´en puede notarse en las expresiones 82 a 85, donde se puede apreciar que las susceptibilidades no lineales de tercer orden, est ´an en funci ´on de las envolventes de los campos el ´ectricos correspondientes a la pareja de bits que desencadena el proceso de la FWM y al haz

CW. En otras palabras, la potencia correspondiente a la envolvente del campo el ´ectrico de cada bit de salida, no solamente depende de la potencia de los bits de las palabras de entrada, sino tambi ´en de la potencia del hazCW.

para la eficiencia de la generaci ´on de la arm ´onicos, tal como se hab´ıa explicado en la secci ´on 3.1 y como se observa en la figura 30. Esto se puede notar tambi ´en en las figuras 34 y 35, donde los arm ´onicos que se generan justo a los lados de los bits de las palabras de entrada, los cuales corresponden al batimiento aΩ, tienen una potencia mayor que la de los otros arm ´onicos generados por batimientos a mayor frecuencia de desacuerdo. Asimismo, lo anterior puede apreciarse en las ecuaciones 58 a 60, donde se puede observar que las contribuciones a la susceptibilidad de tercer orden, son inver- samente proporcionales a la frecuencia de desacuerdo, expresada en este caso como

ωi −ωj.

Es m ´as claro notar en la figura 35 que los arm ´onicos correspondientes al batimiento a 5Ω son de menor amplitud que los que se generan a 4Ω o 3Ω. Sin embargo, hay que recordar que para algunos bits de la palabra de salida, existen diferentes combinaciones de los bits de las palabras de entrada que pueden generarlos. Por ejemplo, el bitc1, en el

caso de la multiplicaci ´on de dos palabras de dos bits, se puede generar de dos maneras, por la interacci ´on dea0 yb1 o por aquella dea1 yb0.

Asimismo, en el caso de la multiplicaci ´on de dos palabras de tres bits, hay dos ma- neras de generar tanto el bit de la palabra de salidac1 como el bitc3, mientras que para

el bitc2 hay tres maneras de generarlo. Lo anterior implica que, aunque la eficiencia de

los arm ´onicos generados dependa de la frecuencia de desacuerdo, algunos bits de salida pueden ser generados de manera simult ´anea, por batimientos distintos, resultando en un aumento en su potencia. Lo anterior se puede apreciar en la figura 35, donde la potencia del bitc2 es comparable con la del bitc0

En los resultados en estado din ´amico puede notarse que la amplitud de las formas de onda de los bits de salida no es uniforme para las diferentes combinaciones. Se puede notar en la forma de onda del bitc0, en el caso de la multiplicaci ´on de dos palabras de dos

bits (figura 36), que cuando hay tres o cuatro se ˜nales de entrada en nivel alto, su amplitud disminuye con respecto a la que posee cuando solo hay dos se ˜nales de entrada en nivel alto. Esta misma situaci ´on se puede apreciar en el bitc2. Sin embargo, en el bit c1 no se

respeta lo anterior debido a que, como ya se hab´ıa establecido, este puede ser generado ya sea por la interacci ´on dea0 yb1 o por la de a1 yb0, lo cual se traduce a un traslape de

potencias para este bit.

Es importante mencionar que para todos los experimentos realizados, la corriente de alimentaci ´on y la temperatura del AOS fue de 400 mA y 25◦C, respectivamente. Para el caso est ´atico, la potencia de cada bit, a la entrada del AOS, es de aproximadamente 0 dBm y -1 dBm, para la multiplicaci ´on de dos palabras de dos y tres bits, respectivamente. En el caso din ´amico no se obtuvieron estas mismas potencias, debido a las p ´erdidas en los moduladores de intensidad y los otros elementos que se agregaron, con respecto al estado est ´atico. No obstante, se espera que los resultados en estado di ´amico mejoren si se alcanzan las potencias establecidas para el experimento en estado est ´atico.