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69 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES MOVILIDAD
MOV
ILIDAD
CONCENTRACIÓN DE IMPUREZAS (cm-3)
Prof. José Malaguera MOVILIDAD
MOV
ILIDAD
Si(CAMPO BAJO)
TEMPERATURA (K)
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71 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
CF =Factor de corrección
Factor de corrección CF
Factor de corrección para mediciones de la resistividad usando una muestra de cuatro puntos
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RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
SILICIO 300K
TIPO P (BORO)
TIPO n (FÓSFORO)
RESI
ST
IV
IDAD
CONCENTRACIÓN DE IMPUREZAS (cm-3)
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RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
RESISTIVIDAD
T=300K
_____ TIPO n
- - - TIPO P
CONCENTRACIÓN DE IMPUREZAS (cm-3)
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RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
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RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
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PROCESOS DE RECOMBINACIÓN
(PROCESO DE AUGER)
ENERGÍA TRANSFERIDA
AL ELECTRÓN LIBRE O
HUECO.
EMISIÓN
RADIACTIVA
DEL FOTÓN
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PROCESOS DE RECOMBINACIÓN
Proceso de
recombinación
de un solo
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PROCESOS DE RECOMBINACIÓN
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PROPIEDADES ÓPTICAS
Espectros de Fonones medidos
en Ge, Si
y
GaAs
, donde
TO
significa modos
ópticos transversales,
LO
significa modos ópticos longitudinales.
TA
significa
modos acústicos transversales y LA modos acústicos longitudinales.
NÚMERO DE ONDA REDUCIDO q/qMAX
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PROPIEDADES ÓPTICAS
BANDA DE CONDUCCIÓN
Eg (directo)
Eg (indirecto)
Banda de Valencia
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PROPIEDADES TÉRMICAS
COE
F
ICIENTE
DE
ABSORCIÓN (cm
-1 )
Coeficientes de absorción
medidos cerca y por encima del
borde de absorción fundamental
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83 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES.
PROPIEDADES TÉRMICAS
CONDUCTIVIDAD TÉRMICA
κ
(VATIO/cm-K)
DIAMANTE (TI P O II ) DIAMANTE (TI P O II )Conductividad térmica en funció
n de la t
e
mperatura medida para
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