2. Formación académica

(1)

Domicilio de residencia

Estancias de investigacion

2. Formación académica

Certificaciones Médicas

Grados Académicos

3. Trayectoria profesional

1. Datos básicos

Experiencia laboral

Datos generales

Otro

Memorias

4.2 Tecnológica y de innovación

Publicación de artículos

4. Producción científica, tecnológica y de innovación

4.1 Científica

Desarrollos tecnológicos

Publicación de libros

Reseñas

Documentos de trabajo

Reportes técnicos

Capítulos publicados

Patentes

Desarrollo de software

Innovación

5.1 Docencia

5.2 Tesis dirigidas

5.3 Diplomados

Cursos impartidos

Tesis Dirigidas

Diplomados

5. Formación de capital humano

Participación en congresos

6.3 Divulgación

6. Comunicación pública de la ciencia, tecnológica y de innovación

6.1 Difusión

Capítulos publicados

Publicación de artículos

Divulgación

Publicación de libros

Proyectos de investigación

7. Vinculación

Redes Temáticas CONACYT

8. Evaluaciones

Evaluaciones CONACYT

Grupos de investigación

Redes de investigación

Evaluaciones no CONACYT

Distinciones CONACYT

Idiomas

Legunas indígenas

Distinciones no CONACYT

(2)

Datos generales

RFC: CURP:

Nombre: Primer apellido:

Fecha de nacimiento: Segundo apellido: ALVARO MIDA810408HMCRRL02 DURAN 08/abr/1981 País de nacimiento:

Sexo: Estado conyugal:

CVU: Entidad federativa: Nacionalidad: MIRANDA Masculino México Mexicana 161671

Contacto principal: [email protected] MÉXICO

Principal

Categoría de contacto Correo / Teléfono

Medio de contacto

Medios de contacto

[email protected]

Correo electrónico Oficial SI

5556569701

Teléfono Personal NO

[email protected]

Correo electrónico Personal NO

5516184381

Móvil Personal NO

Título:

Nivel de escolaridad: Estatus:

Cédula profesional: Opciones de titulación:

Título de tesis: Fecha de obtención:

País de obtención de grado: Institución de obtención de grado:

Áreas de conocimiento

Campo: Área:

Subdisciplina: Disciplina:

INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA

Licenciatura Grado obtenido

4370780 Tesis

DISEÑO DE UN CONTROLADOR DIGITAL PID PARA CONTROLAR LA VELOCIDAD DE UN MOTOR DE CD 23/jul/2004

México

Instituto Politécnico Nacional

Ingeniería y tecnología Ingeniería

Ingeniería electrónica Automatización y control

Grados académicos

Título:

Cédula profesional: Opciones de titulación:

Título de tesis: Fecha de obtención:

MAESTRÍA EN CIENCIAS DE INGENIERÍA EN MICROELECTRÓNICA

Maestría Grado obtenido

5602316 Tesis

DENSIDAD DE ESTADOS ELECTRÓNICOS DE NANOESTRUCTURAS DE GERMANIO 22/sep/2006

México

Ciencias físico matemáticas y ciencias de la tierra Física

Física del estado sólido Estados electrónicos

Grados académicos

Título:

DOCTORADO EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA

Doctorado Grado obtenido

(3)

Cédula profesional: Opciones de titulación: Título de tesis:

Fecha de obtención:

Áreas de conocimiento Campo: Área: Subdisciplina: Disciplina: 7452592 Tesis

ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES ELECTRÓNICAS Y DIELÉCTRICAS DE NANOESTRUCTURAS TIPO ZINC-BLENDA 14/sep/2010

México

Física del estado sólido Propiedades de portadores electrónicos

Institución:

Catedrático CONACYT

Experiencia laboral Otros Investigadores

Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona

Disciplina: Área:

Subdisciplina: Campo:

Nombre del puesto / Nombramiento:

Logros:

Fin: Inicio:

INVESTIGADOR POSDOCTORAL

01/ene/2011 31/mar/2013

Publicación de 2 artículos indezados en el Journal Citation Report: A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali and M. Cruz-Irisson

Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-empirical approach Physica E 44 (7-8), 1230-1235(2012)

Institución:

Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM)

Logros:

INVESTIGADOR POSDOCTORAL

01/sep/2013 31/ago/2015

Publicación de tres artículos en revistas indizadas al Journal Citation Report A. Miranda, M. Cruz-Irisson and Luis A. Pérez

Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by fluorination International Journal of Nanotechnology 15, 218-225 (2015),

(4)

Institución:

Logros:

INVESTIGADOR EN LA CONVOCATORIA PARA RETENCIONES, CONACYT

01/sep/2015 31/ago/2016

Publicación de dos articulos indizados al Journal Citation Report:

A. Trejo, A. Miranda, L.K. Toscano-Medina, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson Optical vibrational modes of Ge nanowires: A computational approach

Microelectronic Engineering 159, 215-220 (2016)

Institución:

Logros:

Inicio:

PROFESOR TITULAR A

01/sep/2016

Publicación de un artículo indizado al Journal Citation Report J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson

Perovskite Type Thin Slabs: A First Principles Study on Their Magnetic and Electronic Properties IEEE Magnetics Letters 7, 4106403 (2016),

Tipo de estancia: Institución: Nombre de estancia:

Estancia Investigación

Fecha Inicio: Fecha Fin:

BECAS MIXTAS CONACYT Académica

Universitat Autonoma de Barcelona

(5)

Áreas de conocimiento Ciencias físico matemáticas y ciencias de la tierra Física

ISSN electrónico:

País:

Título del artículo: Nombre: ISSN impreso:

Publicación de artículos

Número de la revista: Volúmen de la revista:

Disciplina: Área: Subdisciplina: Campo: Áreas de conocimiento Año de publicación: a: Páginas de:

Palabra clave 1: Palabra clave 2: Palabra clave 3:

¿Recibió apoyo CONACYT?:

ESTRUCTURA DE BANDAS ELECTRÓNICAS DE NANOALAMBRES DE GERMANIO 26 2004 253 256 GERMANIO ELECTRÓNICAS NANOALAMBRES ISSN 1405-2172 Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

A. Miranda MANUAL Autor

U. CORONA MANUAL Autor

M. CRUZ MANUAL Autor

País:

QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS IN GE NANOCRYSTALS

12 2005 674 678 NANOWIRES GERMANIUM TIGHT-BINDING Functional Materials Fondo/Programa:

(6)

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

L. NIÑO DE RIVERA MANUAL Autor

M. CRUZ-IRISSON MANUAL Autor

A. MIRANDA MANUAL Autor

A.E. RAMOS MANUAL Autor

País:

HYDROGENATED GE NANOCRYSTALS: BAND GAP EVOLUTION WITH INCREAZING SIZE 36 2006

375 378

GERMANIO NANOALAMBRES

AMARRE FUERTE Brazilian Journal of Physics

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

P. ALFARO MANUAL Autor

A. E. RAMOS MANUAL Autor

País:

COMPUTATIONAL MODELING OF ELECTRONIC DENSITY OF STATES OF SILICON NANOWIRES

2006

147 150

SILICON TIGHT-BINDING

NANOWIRES ISSN 968-9085-01-8

(7)

¿Recibió apoyo CONACYT?: Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

D. GUZMÁN MANUAL Autor

M. Cruz-Irisson MANUAL Autor

País:

DENSIDAD DE ESTADOS ELECTRÓNICOS DE NANOESTRUCTURAS DE GERMANIO 53 2007

78 82

GERMANIO NANOALAMBRES

AMARRE-FUERTE Revista Mexicana de Fisica S

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

L. Niño de R MANUAL Autor

R. VAZQUEZ, MANUAL Autor

País:

Año de publicación:

a: Páginas de:

SEMIEMPIRICAL SUPERCELL APPROACH TO CALCULATE THE ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SI QUANTUM WIRES 53

2007

221 225

OPTICAL PROPERTIES ELECTRONIC PROPERTIES SILICON

(8)

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

H. M. Pérez-Meana MANUAL Autor

País:

DIELECTRIC FUNCTION IN SEMI-EMPIRICAL TIGHT-BINDING THEORY APPLIED TO CRYSTALLINE DIAMOND

2008 253 255 DIAMOND BULK TIGHT-BINDING ISBN 978-1-4244-2284-5 Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

R. VAZQUEZ MANUAL Autor

L.N. DE RIVERA MANUAL Autor

V. PONOMARYOV MANUAL Autor

País:

ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF CUBIC SILICON CARBIDE NANOWIRES

600 2009

(9)

Disciplina: Área: Subdisciplina: Campo: Áreas de conocimiento a: Páginas de:

575 578

NANOWIRES ELCTRONIC PROPERTIES

SILICON CARBIDE

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

País:

NANOELECTRONIC PROPERTIES OF SI AND GE: A SEMI-EMPIRICAL APPROXIMATION

2009 859 863 GERMANIUM TIGHT-BINDING SILICON ISBN: 978-1-4244-4479-3 Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

R. VÁZQUEZ-MEDINA MANUAL Autor

F. A. SERRANO MANUAL Autor

País:

MODELLING OF ELECTRONIC AND PHONONIC STATES OF GE NANOSTRUCTURES Microelectronics Journal

(10)

Número de la revista: Volúmen de la revista: Disciplina: Área: Subdisciplina: Campo: Áreas de conocimiento Año de publicación: a: Páginas de:

40 2009 439 441 POROUS RAMAN GERMANIUM Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

C. Wang MANUAL Autor

País:

OPTICAL MATRIX ELEMENTS IN TIGHT-BINDING APPROACH OF HYDROGENATED SI NANOWIRES 40 2009

456 458

TIGHT-BINDING OPTICAL PROPERTIES

SILICON Microelectronics Journal Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

A. DÍAZ-MÉNDEZ MANUAL Autor

R. VÁZQUEZ MANUAL Autor

ISSN electrónico: Nombre: ISSN impreso: Publicación de artículos 0026-2692 1879-2391 Microelectronics Journal

(11)

País:

Título del artículo:

QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS ON ELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED 3C-SIC NANOWIRES

3 40 2009 796 798 NANOWIRES DFT SILICON CARBIDE Sí

United Kingdom

Fondo/Programa: Programa CONACYT - Beca Nacional

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

J.L. CUEVAS MANUAL Autor

País:

EFFECTS OF MORPHOLOGY ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED SILICON CARBIDE NANOWIRES 5

2009

161 167

NANOWIRES ELECTRONIC PROPERTIES

SILICON CARBIDE Journal Nano Research

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

A.E. Ramos MANUAL Autor

(12)

País:

HYDROGEN SURFACE PASSIVATION OF SI AND GE NANOWIRES: A SEMIEMPIRICAL APPROACH 110 2010

2448 2454

GERMANIUM NANOWIRES

SILICON

International Journal of Quantum Chemistry

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

F. A. SERRANO MANUAL Autor

País:

MOLECULAR DOPING AND SUBSURFACE DOPANT REACTIVATION IN SI NANOWIRES 10 2010 3590 3595 DFT MOLECULAR DOPING SILICON Nano Letters Fondo/Programa:

(13)

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

X. CARTOIXA MANUAL Autor

R. RURALI MANUAL Autor

País:

PHONON OPTICAL MODES AND ELECTRONIC PROPERTIES IN DIAMOND NANOWIRES ISSN: 01679317 90 2011 92 95 PHONON DIAMOND NANOWIRES Microelectronic Engineering Fondo/Programa: Rol participación Coautor Origen Coautores

A. DÍAZ-MÉNDEZ MANUAL Autor

A. TREJO MANUAL Autor

L. NIÑO DE RIVERA MANUAL Autor

País:

Área: Campo:

a: Páginas de:

INTERCONNECTION EFFECTS ON THE ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF GE NANOSTRUCTURES: A SEMI-EMPIRICAL APPROACH 44 2012 1230 1235 ELECTRONIC OPTICAL GERMANIUM Physica E

(14)

Disciplina: Subdisciplina:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

M.CRUZ-IRISSON MANUAL Autor

E.CANADELL MANUAL Autor

R.RURALI MANUAL Autor

A.TREJO MANUAL Autor

País:

NH3 MOLECULAR DOPING OF SILICON NANOWIRES GROWN ALONG THE [112], [110], [001], AND [111] ORIENTATIONS ISSN: 13869477 7

2012

308 0

SILICON MOLECULAR DOPING

NANOWIRES Nanoscale Research Letters

Fondo/Programa:

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

ALVARO MIRANDA MANUAL Autor

ENRIC CANADELL MANUAL Autor

RICCARDO RURALI MANUAL Autor

XAVIER CARTOIXA MANUAL Autor

País:

a: Páginas de:

1741-8151

Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by fluorination

3 12

2015

218 225

International Journal of Nanotechnology United Kingdom

(15)

Silicon Carbide Fluorination

Nanowires

Sí

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

Álvaro Miranda Durán MANUAL Autor

Miguel Cruz Irisson MANUAL Autor

Luis Antonio Pérez López MANUAL Autor

País:

1741-8151

Electronic structure and optical vibrational modes of 3C-SiC nanowires

3 12

2015

275 284

Silicon Carbide Phonon

Nanowires

Sí

International Journal of Nanotechnology United Kingdom

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

José Luis Cuevas Figueroa MANUAL Autor

Miguel Ojeda Martinez MANUAL Autor

Alejandro Trejo Baños MANUAL Autor

ISSN electrónico: País: Nombre: ISSN impreso: Publicación de artículos 0927-0256

Computational Materials Science Netherlands

(16)

Electronic properties of fluorinated silicon carbide nanowires

0 111

2016

294 300

Silicon Carbide Chemical Passivation Nanowires

No

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

País:

1949-307X

Perovskite Type Thin Slabs: A First Principles Study on Their Magnetic and Electronic Properties

0 7 2016 41 6403 Magnetic Electronic Perovskite Sí

Física del estado sólido Propiedades magnéticas

IEEE Magnetics Letters United States of America

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

Eliel Carvajal Quiroz MANUAL Autor

Jorge Pilo Gonzalez MANUAL Autor

ISSN electrónico: Nombre: ISSN impreso: Publicación de artículos 0167-9317 Microelectronic Engineering

(17)

País:

Optical vibrational modes of Ge nanowires: A computational approach

0 159 2016 215 220 Germanium Phonon Nanowires Sí

Netherlands

Fondo/Programa: Programa CONACYT - Repatriaciones y Retenciones

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

A. TREJO MANUAL Autor

L.K. TOSCANO-MEDINA MANUAL Autor

País:

0925-4005

Silicon nanowires as potential gas sensors: A density functional study

0 242 2017 1246 1250 Sensing Silicon Nanowires Sí

Física del estado sólido Propiedades de portadores electrónicos Sensors and Actuators B: Chemical

Switzerland

(18)

Rol participación

Coautor Origen

Coautores

Francisco de Santiago Varela MANUAL Autor

Modelo computacional de las propiedades electrónicas y ópticas de nanocristales semiconductores

17/dic/2004 5

Proyecto de Investigación, Registro: 20040062

A través de métodos semi-empíricos se calcularán, numéricamente, las propiedades ópticas de semiconductores nanocristalinos, tales como germanio y silicio. En particular, se estudiará la dependencia de la brecha óptica como función de la distancia de confi

No

Origen del reporte técnico Institución que presenta el reporte: Título

Reportes técnicos

Descripción:

Fecha de publicación:

Fecha de entrega: Número de páginas:

Objetivos

Participantes Alvaro Miranda Durán

Emisión y absorción de ondas electromagnéticas en nanoestructuras de Silicio y Germanio

16/dic/2005 5

De manera general, el objetivo de esta investigación (a 3 años) es contribuir al esclarecimiento, del origen de la emisión de ondas electromagnéticas en el visible de nanoestructuras semiconductoras. En particular, estudiaremos los efectos del confinamient

Reportes técnicos

Descripción:

Objetivos

(19)

No

Participantes Alvaro Miranda Durán

15/dic/2006 5

En esta segunda etapa del proyecto se aplicarán dos distintas metodologías: Cálculos a primeros principios y semiempíricos (amarre-fuerte) las cuales son ampliamente usadas para estudiar las propiedades electrónicas y ópticas de materiales.

No

Reportes técnicos

Descripción:

Objetivos

Participantes Álvaro Miranda Durán

14/dic/2007 5

En esta tercera etapa del proyecto se analizarán y compararán los resultados obtenidos a través de las dos distintas metodologias: Cálculos a primeros principios y semiempricos (amarre-fuerte) las cuales son ampliamente usadas para estudiar las propiedades

No

Reportes técnicos

Descripción:

Objetivos

(20)

Propiedades Electrónicas y Ópticas de Nanoestructuras semiconductoras hidrogenadas tipo zincblenda

01/ago/2008 5

Estudiar el efecto de la superficie en las propiedades electrónicas y ópticas de nanoestructuras semiconductoras tipo zincblenda a través de dos metodologías: Teoría de Funcionales de la Densidad y métodos de enlace fuerte.

No

Reportes técnicos

Descripción:

Objetivos

País:

Tipo de desarrollo: Título:

Desarrollo de software

¿Recibió apoyo CONACYT? ¿Cuenta con derechos de autor?

Beneficiario:

Inicio: Fin:

Objetivo:

Costo:

Resumen:

Generación de valor y/o impacto para el beneficiario:

Formación de recursos humanos u otros resultados:

Logros:

Horas hombre:

Simulación computacional de la estructura de bandas electrónicas, densidad de estados y absorción óptica de semiconductores tipo zinc-blenda Software de ingeniería y científico (caracterizado por algoritmos, ej.: astronomía, vulcanología, biología molecular, fabricación automática,

Sí

México 120

01/jun/2014 29/ago/2014 0

Estudiantes de licenciatura y posgrado

Obtener propiedades electrónicas y ópticas de semiconductores tipo diamante y zinc-blenda

(21)

Obtener propiedades electrónicas y ópticas de semiconductores tipo diamante y zinc-blenda

Año:

Nombre del programa: Institución:

Cursos impartidos

Nombre del curso o asignatura:

Horas totales: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina: INGENIERIA EN COMPUTACIÓN FÍSICA CLÁSICA 2015 108 Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Propiedades electrónicas de semiconductores

2016 72

Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica Electrónica Cuántica

2016 54

Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

MAESTRÍA EN CIENCIAS DE INGENIERÍA EN MICROELECTRÓNICA TEMAS SELECTOS DE MATEMÁTICAS

(22)

Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

MAESTRÍA EN CIENCIAS DE INGENIERÍA EN SISTEMAS ENERGÉTICOS ENERGÉTICA AVANZADA

2016 54

Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

DOCTORADO EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA TEMAS SELECTOS DE ELECTRÓNICA

2016 81

Año:

Cursos impartidos

Horas totales:

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Temas selectos de Matemáticas

2016 72

Año:

Cursos impartidos

Horas totales: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina: INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN

CÁLCULO DIFERENCIAL E INTEGRAL

2016 108

(23)

Estado de la tésis: Título de la tésis: Nombre: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina:

Nombre del autor

Fecha de obtención de grado: Fecha de aprobación:

País:

Francisco de Santiago Varela Terminada

03/sep/2015

México

Ingeniería electrónica Electrónica y telecomunicaciones Espintrónica en Nanoalamabres, un nuevo paradigma en las comunicaciones y electrónica

Institución: Instituto Politécnico Nacional

28/sep/2015 Estado de la tésis: Título de la tésis: Tesis dirigidas Nombre: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina:

Nombre del autor

País:

Francisco de Santiago Varela Terminada

10/jun/2016

México

Física del estado sólido Propiedades magnéticas

Mediometalicidad en nanoalambres no polares

Institución: INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

23/jun/2016 Estado de la tésis: Título de la tésis: Tesis dirigidas Nombre: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina:

Nombre del autor

País:

Lucia Guadalupe Arellano Sartorius

En proceso México

Ingeniería energética Energía solar

Estructuras de baja dimensionalidad 2D de SiC para almacenamiento de H_2

(24)

Estado de la tésis: Título de la tésis: Tesis dirigidas Nombre: Áreas de conocimiento Campo: Área: Disciplina: Subdisciplina:

Nombre del autor

País:

Angel Daniel de la Merced Puga

En proceso México

Nanoalambres de diamante como sensores de monóxido de carbono

Nombre del autor

País:

José Antonio Santiago Galicia

En proceso México

Almacenamiento de hidrógeno en nanoestructuras bidimensionales de SiGe

Nombre del autor

País:

Lorenzo Antonio López Hernández

En proceso México

Monocapas de oxidos metálicos para aplicaciones en sensores

(25)

Título de participación congreso: Título del trabajo:

Nombre del congreso:

Participación en congresos

Fecha: País:

Palabra clave 1: GERMANIO Palabra clave 2: AMARRE-FUERTE Palabra clave 2: NANALAMBRES

ESTRUCTURA DE BANDAS ELECTRÓNICAS DE NANOALAMBRES DE GERMANIO ELECTRO 2004 Póster México 01/ene/2004 Colaboradores U. CORONA Nombre:

Sexo: Nivel de escolaridad: Nacionalidad:

Área:

Subdisciplina: Campo: Disciplina:

¿Pertenece al S. N. I.?: Producto generado:

Tipo de colaborador: Tiempo de colaboración:

M. CRUZ

Nombre:

Área:

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: NANOWIRES Palabra clave 2: TIGHT-BINDING Palabra clave 2: GERMANIUM

QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS IN GE NANOCRYSTALS International Conference Crystals Materials¿ 2005¿ (ICCM¿ 2005

Póster Ukraine 01/ene/2005 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

(26)

A.E. RAMOS

Nombre:

Área:

L. NIÑO DE RIVERA

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: GERMANIUM Palabra clave 2: TIGHT-BINDING Palabra clave 2: NANOWIRES

HYDROGENATED GE NANOCRYSTALS: BAND GAP EVOLUTION WITH INCREAZING SIZE 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics

Póster Brazil 01/ene/2005 Colaboradores P. ALFARO Nombre:

Área:

A. MIRANDA

Nombre:

(27)

A. E. RAMOS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: TIGHT-BINDING Palabra clave 2: NANOWIRES Palabra clave 2: SILICON

TIGHT-BINDING CALCULATIONS OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF SILICON NANOCRYSTALS 12 º CLACSA 2005 Póster Brazil 01/ene/2005 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

Área:

P. ALFARO

Nombre:

Área:

G. LOGVINOV

Nombre:

(28)

A. E. RAMOS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: NANOALAMBRES Palabra clave 2: GERMANIO Palabra clave 2: ELECTRONICAS

DENSIDAD DE ESTADOS ELECTRÓNICOS DE NANOESTRUCTURAS DE GERMANIO Mexican Workshop on Nanoestructured Materials 2007

Póster México 01/ene/2006 Colaboradores D. GUZMÁN Nombre:

Área:

P. ALFARO

Nombre:

Área:

A. MIRANDA

Nombre:

(29)

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: GERMANIO Palabra clave 2: POZOS CUANTICOS Palabra clave 2: ELECTRONICAS

DENSITY OF STATES OF GERMANIUM QUANTUM WELLS XV International Materials Research Materials

Póster México 01/ene/2006 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: OPTICAS Palabra clave 2: ELECTRONICAS Palabra clave 2: SILICIO

SEMIEMPIRICAL SUPERCELL APPROACH TO CALCULATE THE ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SI QUANTUM XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics

Póster

México 01/ene/2006

(30)

D. GUZMÁN

Nombre:

Área:

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: SILICIO Palabra clave 2: NANOALAMBRES Palabra clave 2: ELECTRONIC

COMPUTATIONAL MODELING OF ELECTRONIC DENSITY OF STATES OF SILICON NANOWIRES 2nd Internacional Conference on Electronic Design

Ponencia México 01/ene/2006 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

Área:

D. GUZMÁN

Nombre:

Área:

(31)

H. P. MEANA

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: CARBURO DE SILICIO Palabra clave 2: ALAMBRES Palabra clave 2: ELECTRONICAS

ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF SILICON CARBIDE NANOWIRES

Pan-American Advanced Study Institute On Electronic States and Excitations Nanostructures

Área:

J. L. CUEVAS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

(32)

Palabra clave 1: ELECTRONICAS Palabra clave 2: CARBURO DE SILICIO Palabra clave 2: NANOALAMBRES

EFFECTS OF MORPHOLOGY ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED Second Mexican Workshop on Nanoestructured Materials

Área:

J. L. CUEVAS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: SILICON CARBIDE Palabra clave 2: NANOWIRES Palabra clave 2: ELECTRONIC

ONE-DIMENSIONAL ELECTRONIC STATES ON THE SILICON CARBIDE NANOCRYSTALS AMN-3 Advanced Materials and Nanotechnology

Póster New Zealand 01/ene/2007 Colaboradores D. GUZMÁN Nombre:

Área:

(33)

¿Pertenece al S. N. I.?: Producto generado: Tipo de colaborador: Tiempo de colaboración:

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

P. ALFARO

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: NANOALAMBRES Palabra clave 2: CARBURO DE SILICIO Palabra clave 2: ELECTRONICAS

BETA-SIC NANOESTRCUTURES: EVOLUTION BAND GAP WITH INCGREAZING SIZE International Congress Materia 2007

Póster México 01/ene/2007 Colaboradores J. L. CUEVAS Nombre:

Área:

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

(34)

¿Pertenece al S. N. I.?: Producto generado: Tipo de colaborador: Tiempo de colaboración:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: SILICON CARBIDE Palabra clave 2: ELECTRONIC Palabra clave 2: NANOWIRES

QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS ON ELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED BETA-SIC NANOESTRCUTURES XIII CLACSA Póster Colombia 01/ene/2007 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

L.A. PÉREZ

Nombre:

Área:

SEMI-EMPIRICAL CALCULATIONS OF THE OPTICAL MATRIX ELEMENTS: AN APPLICATION TO GE NANOWIRES XIII CLACSA

(35)

Palabra clave 1: GERMANIUM Palabra clave 2: OPTICAL Palabra clave 2: NANOALAMBRES

Colombia 01/ene/2007

Colaboradores

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: POROS Palabra clave 2: CARBURO DE SILICIO Palabra clave 2: ELECTRONICAS

BAND GAP EVOLUTION OF HYDROGENATED POROUS SILICON CARBIDE XVI International Materials Research Materials

Área:

J. L. CUEVAS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

(36)

Área:

Palabra clave 1: ELECTRONIC Palabra clave 2: SILICON CARBIDE Palabra clave 2: NANOWIRES

ONE DIMENSIONAL ELECTRONIC STATES ON BETA-SIC NANOWIRES International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Ponencia Japan 01/ene/2007 Colaboradores A. MIRANDA Nombre:

Área:

J. L. CUEVAS

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

Nombre:

Área:

Palabra clave 1: OPTICAS Palabra clave 2: GERMANIO Palabra clave 2: NANOALAMBRES

THEORETICAL STUDY OF OPTICAL TRANSITION IN GE NANOESTRUCTURES International Congress Materia 2007

Póster

México 01/ene/2007

(37)

A. MIRANDA

Nombre:

Área:

M. CRUZ-IRISSON

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Palabra clave 1: DIAMOND Palabra clave 2: ELECTRONIC Palabra clave 2: NANOWIRES

QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS ON THE ELECTRONIC AND PHONON STATES IN DIAMOND NANOWIRES 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides

Póster Spain 01/ene/2008 Colaboradores L.A. BOISSON Nombre:

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P. ALFARO

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A. MIRANDA

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M. CRUZ-IRISSON

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Palabra clave 1: AB-INITIO Palabra clave 2: POROUS Palabra clave 2: GERMANIUM

ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF GE NANOESTRUCTURES: AN AB-INITIO STUDY XVII International Materials Research Materials

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M. CRUZ-IRISSON

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C. WANG

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Palabra clave 1: DIAMOND Palabra clave 2: OPTICAL Palabra clave 2: TIGHT-BINDING

DIELECTRIC FUNCTION IN SEMI-EMPIRICAL TIGHT-BINDING THEORY APPLIED TO CRYSTALLINE DIAMOND 12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory

Póster

Ukraine 01/ene/2008